[发明专利]半导体器件和在半导体器件外边缘处的终端结构有效
| 申请号： | 201110304948.2 | 申请日： | 2004-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102420241A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 阿肖克·沙拉;艾伦·埃尔班霍威;克里斯托弗·B·科康;史蒂文·P·萨普;彼得·H·威尔逊;巴巴克·S·萨尼 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 外边 终端 结构 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一导电类型的漂移区；
阱区，在所述漂移区之上延伸，并具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；
有源沟槽，穿过所述阱区延伸并延伸进所述漂移区，沿着所述有源沟槽的侧壁和底部设置介电材料，且所述有源沟槽基本上填充有形成上电极的第一导电层和形成下电极的第二导电层，所述上电极设置在所述下电极之上，并通过电极间介电材料与所述下电极分离；
源极区，具有所述第一导电类型，其形成在与所述有源沟槽相邻的所述阱区中；以及
第一终端沟槽，在所述阱区之下延伸，并设置在所述器件的有源区的外边缘处。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沿着所述第一终端沟槽设置比沿着所述有源沟槽的所述侧壁的所述介电材料厚的介电材料层，且所述第一终端沟槽基本上填充有导电材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述第一终端沟槽内的所述导电材料电连接到源极金属。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述第一终端沟槽内的所述导电材料被掩埋在所述终端沟槽的下部中的介电材料之下。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一终端沟槽基本上填充有介电材料。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第一终端沟槽和相邻的有源沟槽之间形成的台面的宽度与在两个有源沟槽之间形成的台面的宽度不同。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一终端沟槽以环形环绕在所述器件的有源区周围。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括第二终端沟槽，其环绕在所述第一终端沟槽外的所述器件的所述有源区周围。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一终端沟槽和第二终端沟槽之间的距离S1大约为所述第一终端沟槽和所述有源沟槽的末端之间的距离S2的两倍。
10.一种在半导体器件的外边缘处的终端结构，所述终端结构包括具有第一导电类型的多个同心环柱，其形成在具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的终端区内，并环绕在所述器件的有源区周围，其中，每个柱分别连接到导电场板。
11.根据权利要求10所述的终端结构，其中，由导电材料制成的大场板覆盖多个柱的子集并与多个柱的子集电绝缘，不同的导电场板连接到所述多个柱中剩余的一个。
12.根据权利要求11所述的终端结构，其中，所述大场板连接到地。
13.根据权利要求10所述的终端结构，其中，所述柱的子集没有被任何导电场板覆盖。
14.根据权利要求10所述的终端结构，其中，所述多个柱之间的中心间隔随着与所述有源的边缘的距离而改变。
15.根据权利要求14所述的终端结构，其中，所述多个柱之间的中心间隔随着与所述有源的边缘的距离而增加。
16.根据权利要求10所述的终端结构，其中，每个柱的宽度随着与所述有源区的边缘的距离而改变。
17.根据权利要求16所述的终端结构，其中，每个柱的宽度随着与所述有源区的边缘的距离而减小。
18.根据权利要求10所述的终端结构，其中，在所述终端结构中的所述多个柱的宽度保持基本相同，而在所述有源区内的阱区之下的相反极性的柱的宽度随着与所述阱区的距离而减小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞兆半导体公司，未经飞兆半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110304948.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：提供立体图像的主动型显示装置和驱动方法
- 下一篇：喷墨记录装置
- 同类专利
- 专利分类
