[发明专利]半导体器件和在半导体器件外边缘处的终端结构

说明书

本申请为申请号200480042161.1(PCT/US2004/043965)，申请日2004年12月28日，发明名称为“功率半导体器件及制造方法”的专利申请的分案申请。 

相关申请的交叉参考 

本申请要求下列临时提交的美国专利申请的优先权： 

Ashok等人的第60/533,790号(代理人案号第18865-133/17732-67260号)，标题为“Power Semiconductor Devices and Methods of Manufacture”，2003年12月30日； 

本申请是下列共同转让的美国专利申请的部分延续： 

Kocon等人的第10/640,742号(代理人案号第90065.000241/17732-66550号)，标题为“Improved MOS Gating Method for Reduced Miller Capacitance and Switching Losses”，2003年8月14日； 

Herrick的第10/442,670号(代理人案号第18865-131/17732-66850号)，标题为“Structure and Method for Forming a Trench MOSFET Having Self-Aigned Features”，2003年5月20日。 

本申请与下列共同转让的美国专利申请相关： 

MO等人的第10/155,554号(代理人案号第18865-17-2/17732-7226.001号)，标题为“Field Effect Transistor and Methods of its Manufacture”，2002年5月24日； 

Sapp的第No.10,209,110号(代理人案号第18865-98/17732-55270号)，标题为“Dual Trench Power MOSFET”，2002年7月30日； 

Kocon的第09/981,583号(代理人案号第18865-90/17732-51620号)，标题为“Semiconductor Structure with Improved Smaller Forward Loss and Higher Blocking Capability”，2001年10月17日； 

Marchant的第09/774,780号(代理人案号第18865-69/17732-26400号)，标题为“Field Effect Transistor Having a Lateral Depletion Structure”，2001年1月30日； 

Sapp等人的第10/200,056号(代理人案号第18865-97/17732-55280号)，标题为“Vertical Change Control Semiconductor Device with Low Output Capacitance”，2002年7月18日； 

Kocon等人的第10/288,982号(代理人案号第18865-117/17732-66560号)，标题为“Drift Region Higher Blocking Lower Forward Voltage Drop Semiconductor Structure”，2002年11月5日； 

Yedinak的第10/315,719号(代理人案号第90065.051802/17732-56400号)，标题为“Method of Isolating the Current Sense on Planar or Trench Stripe Power Devices while Maintaining a Continuous Stripe Cell”，2002年12月10日； 

Elbanhawy的第10/222,481号(代理人案号第18865-91-1/17732-51430号)，标题为“Methods and Circuit for Reducing Losses in DC-DC Converters”，2002年8月16日； 

Joshi的第10/235,249号(代理人案号第18865-71-1/17732-26390-3号)，标题为“Unmolded Package for a Semiconductor device”，2002年9月4日；