[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201110305609.6 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN102487071A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 李律圭;柳春其;朴鲜;朴钟贤;金广海 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
发光区,包括有机发光元件、薄膜晶体管和电容器;和
非发光区,包括连接至所述发光区的布线的焊盘区;
其中所述焊盘区包括:
包括形成在基板上以突起的多个突起部分的突起层;
包括焊盘下电极和焊盘上电极的焊盘电极,所述焊盘下电极包括沿所述突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分,所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上;
形成在所述焊盘上电极上的源/漏电极层;
形成在所述源/漏电极层上的有机层;和
形成在所述焊盘下电极的突起部分上和所述有机层上的对电极层,所述对电极层在所述突起部分上跟随所述突起层的突起轮廓。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括形成在所述基板和所述突起层之间的缓冲层。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括:形成在所述突起层和所述焊盘下电极之间的栅绝缘层,和形成在所述焊盘上电极和所述源/漏电极层之间的层间绝缘层。
4.如权利要求1至3中任一项所述的有机发光显示装置,其中所述有机层被形成以覆盖所述源/漏电极层和所述焊盘上电极两者。
5.如权利要求1至3中任一项所述的有机发光显示装置,其中所述有机层被形成以暴露所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的部分,并且所述对电极层被形成以接触所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的被暴露的部分。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述薄膜晶体管包括:形成在与所述突起层相同的层上的有源层、形成在与所述焊盘电极相同的层上的栅电极,和由与所述源/漏电极层相同的层形成的源/漏电极。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述有机发光元件包括:形成在与所述焊盘电极相同的层上的像素电极、由与所述对电极层相同的层形成的对电极,和介于所述像素电极和所述对电极之间的发光层。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述电容器包括:形成在与所述突起层相同的层上的电容器下电极、形成在与所述焊盘电极相同的层上的电容器上电极,和介于所述电容器下电极和所述电容器上电极之间的栅绝缘层。
9.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括以下步骤:
在基板上形成薄膜晶体管的有源层、电容器的电容器下电极和焊盘区的突起层;
在所述有源层上形成所述薄膜晶体管的栅电极,在所述基板上形成有机发光元件的像素电极,在所述电容器下电极上形成所述电容器的电容器上电极,并且在所述突起层上形成所述焊盘区的焊盘电极;
形成包括用于分别暴露所述有源层、所述像素电极和所述电容器上电极的部分的开口的层间绝缘层,所述层间绝缘层形成在所述焊盘区的焊盘电极上;并且
形成所述薄膜晶体管的接触所述有源层和所述像素电极的被暴露部分的源/漏电极,并且在所述焊盘电极和所述层间绝缘层上形成所述焊盘区的源/漏电极层;
形成暴露所述像素电极的部分并覆盖所述薄膜晶体管的源/漏电极、所述电容器的电容器上电极和所述焊盘区的源/漏电极层的有机层;
形成接触所述像素电极的被暴露部分的发光层;并且
在所述有机层上形成对电极以面对所述像素电极,其中所述发光层介于所述对电极和所述像素电极之间,并且沿所述焊盘区中的所述突起层的突起轮廓形成对电极层。
10.如权利要求9所述的制造有机发光显示装置的方法,进一步包括在所述基板上形成缓冲层的步骤。
11.如权利要求9所述的制造有机发光显示装置的方法,进一步包括在所述有源层、所述电容器下电极和所述突起层上形成栅绝缘层的步骤。
12.如权利要求9至11中任一项所述的制造有机发光显示装置的方法,其中所述焊盘电极包括焊盘下电极和焊盘上电极,所述焊盘下电极包括沿所述突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分,并且所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上。
13.如权利要求12所述的制造有机发光显示装置的方法,其中所述有机层被形成以覆盖所述源/漏电极层和所述焊盘上电极两者。
14.如权利要求12所述的制造有机发光显示装置的方法,其中所述有机层被形成以暴露所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的部分,并且所述对电极层被形成以接触所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的被暴露部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的