[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201110305609.6 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN102487071A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 李律圭;柳春其;朴鲜;朴钟贤;金广海 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
优先权要求
本申请引用早先于2010年12月2日递交韩国知识产权局并因而被适时分配序列号No.10-2010-0122091的申请,将其合并于此,并要求其优先权和所有权益。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置及其制造方法,更具体地涉及一种能够在有机发光显示装置的制造期间减少掩膜使用的数目并且能够纠正在焊盘区中涂覆有机层过程中的缺陷的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置被制造在基板上,基板上形成有包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及连接TFT和电容器的布线的图案。
一般而言,包括TFT等的精细结构图案通过使用印刷有精细结构图案的掩膜转移到阵列基板,从而能够图案化在其上制造有机发光显示装置的基板。
使用掩膜的图案转移一般利用光刻方法而执行。根据光刻方法,光刻胶均匀地施加于待形成图案的基板上。光刻胶通过使用诸如步进机之类的光刻设备而曝光,并且感光光刻胶被显影(在正性光刻胶的情况下)。此外,在光刻胶显影之后,剩余的光刻胶用作刻蚀图案的掩膜,然后去除剩余的光刻胶。
如上所述,在通过使用掩膜转移图案的过程中,必须制备具有所需图案的掩膜,因此随着更多的操作利用掩膜来执行,制造掩膜的成本会增加。因此,为了解决这个问题,需要能够减少掩膜使用的数目的结构。
作为减少掩膜使用的数目的方法,已经考虑了用于形成充当像素限定层的、具有3μm或更大的大厚度的有机层的方案,以避免对形成独立的间隔层(spacer)的需要。然而,在这个方案中,厚的有机层上的应力增加,使得特别是在作为有机层的端部的焊盘区中,不能准确地执行涂覆,结果导致了剥离现象(lifting phenomenon)。因此,需要能够减少掩膜使用的数目并避免由于有机层涂覆缺陷而导致的问题的方案。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示装置及其制造方法,从而可以减少使用掩膜进行图案化的工艺数目,并且可以解决焊盘区中的有机层涂覆缺陷问题。
根据本发明的一个方面,一种有机发光显示装置包括:包括有机发光元件、薄膜晶体管(TFT)和电容器的发光区;和包括与所述发光区的布线连接的焊盘区的非发光区。所述焊盘区包括:包括形成在基板上以突起的多个突起部分的突起层;包括焊盘下电极和焊盘上电极的焊盘电极,所述焊盘下电极包括沿所述突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分,并且所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上;形成在所述焊盘上电极上的源/漏电极层;形成在所述源/漏电极层上的有机层;和形成在所述焊盘下电极的突起部分和所述有机层上的对电极层,所述对电极层在所述突起部分上跟随所述突起层的突起轮廓。
缓冲层可以形成在所述基板和所述突起层之间。
栅绝缘层可以形成在所述突起层和所述焊盘下电极之间,并且层间绝缘层可以形成在所述焊盘上电极和所述源/漏电极层之间。
所述有机层可以形成以覆盖所述源/漏电极层和所述焊盘上电极两者。
所述有机层可以形成以暴露所述源/漏电极层和焊盘上电极的部分,并且所述对电极层可以形成以接触所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的被暴露的部分。
所述TFT可以包括:形成在与所述突起层相同的层上的有源层、形成在与所述焊盘电极相同的层上的栅电极,和由与所述源/漏电极层相同的层形成的源/漏电极。
所述有机发光元件可以包括:形成在与所述焊盘电极相同的层上的像素电极、由与所述对电极层相同的层形成的对电极,和介于所述像素电极和所述对电极之间的发光层。
所述电容器可以包括:形成在与所述突起层相同的层上的电容器下电极、形成在与所述焊盘电极相同的层上的电容器上电极,和介于所述电容器下电极和所述电容器上电极之间的栅绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的