[发明专利]用于制造半导体器件的胶粘带和使用该胶粘带制造半导体器件的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年8月2日提交的韩国专利申请10-2011-0077081的优先权，特此为了所有目的通过引用的方式将其并入到本文中，如同将其全部陈述在本文中那样。

技术领域

本发明涉及用于制造半导体器件的胶粘带和使用所述胶粘带制造半导体器件的方法。更特别地，本发明涉及一种胶粘带和使用所述胶粘带制造半导体器件的方法，所述胶粘带在作为高温半导体制造工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持了低胶粘强度，由此使得在发生层压缺陷时可容易地进行重新加工并提高了产品收率，且所述胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去带子时不会在粘附表面上残留残渣，因此有助于加工并降低了缺陷率。

背景技术

通常，对四方扁平无引线包装(QFN)半导体进行设计，以具有嵌入包装中的引线端子。用于制造QFN的方法通常包括如下步骤：通过将耐热性胶粘带粘合到外部衬垫上而进行层压，通过将半导体芯片粘附到金属引线框的管芯焊盘(die pad)上而进行装载，通过利用密封树脂将半导体芯片密封在引线框上以获得密封结构，通过将胶粘片与引线框分离以将带子除去，以及对密封结构进行切割以作为单独的半导体器件，由此得到单元半导体器件。参考图1～5，对使用胶粘膜的常规半导体制造方法进行详细说明。所述方法包括：(a)通过将胶粘片粘附到金属引线框上而进行层压，(b)将半导体芯片安装在所述金属引线框上，(c)通过导线接合半导体芯片和金属引线框的引线，(d)利用密封树脂对半导体芯片进行密封，以及(e)在完成密封之后将胶粘带移除。

如上所述，QFN半导体制造方法包括在150℃～250℃的温度下实施的高温工艺，且使用胶粘带的半导体制造方法包括在170℃下实施两个小时以上的管芯胶粘工艺和在将胶粘带粘附到金属引线框上之后在200℃～250℃的温度下实施两个小时以上的导线接合工艺。因此，使用胶粘带的常规的半导体制造方法需要满足高温工艺的苛刻要求。例如，上述方法需要在高温下保持高水平的尺寸稳定性，阻止胶粘破坏如因在密封工艺期间密封树脂的压力而在胶粘片与引线框之间发生的模具溢料，以及将胶粘带从金属引线框移除而不残留残渣。

上述方法通常使用硅类胶粘剂和热固性丙烯酸类胶粘剂。所述硅类胶粘剂会沾污在其上粘附了胶粘带的引线框的表面，且在从所述框移除之后会在表面上残留残余的胶粘剂。另外，可能有如下问题，在高温下由硅胶粘剂产生的气体可能氧化引线框的表面且在100℃～150℃的温度下开始分解的热固性丙烯酸类胶粘剂可能因在高温下内聚力的缺乏而将胶粘剂残渣残留在引线框的表面上。

为了克服上述缺点，在利用导线对半导体芯片和金属引线框的引线进行接合之后，将胶粘带层压在接合至金属引线框的半导体芯片上，其后在所述半导体芯片上实施密封工艺，然后，在完成密封时将胶粘带移除。

在半导体器件的制造中，在半导体芯片与金属引线框的引线之间实施导线接合之后在层压工艺中使用胶粘带，且胶粘带通常使用具有优异胶粘强度的硅类胶粘剂层。在层压工艺期间和在密封工艺之后，所述硅类胶粘剂层的胶粘强度不会明显改变。为了胶粘的均一性，从工艺的早期阶段就需要高胶粘强度。如果在层压工艺中发生层压缺陷，则可将胶粘带移除并重新粘附，且在这种重新粘附工艺期间，对金属引线框的高胶粘性可能造成金属引线框的弯曲，其中所述金属引线框利用导线而使其引线接合至半导体芯片。这种弯曲可能损伤金属引线与导线之间的接合部分。在制造过程期间，难以发现在接合部分上的损伤，且也难以对损伤的部分进行重新加工。

发明内容

本发明的例示性实施方案提供一种胶粘带和使用所述胶粘带制造半导体器件的方法，所述胶粘带在作为高温工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持了低胶粘强度，由此使得当发生层压缺陷时可容易地对其进行重新加工并提高了产品收率，且所述胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去带子时不会在粘附表面上残留残渣，因此有助于加工并降低了缺陷率。

在下列说明中将提出本发明的其他特征，且其部分将从所述说明中变得明显，或可通过本发明的实践了解到。

本发明的例示性实施方案提供了用于制造半导体器件的胶粘带，其包含：基材；和涂覆在所述基材至少一个表面上的胶粘剂层，其中所述胶粘剂层由胶粘剂组合物形成，相对于每100重量份的羧化橡胶树脂，所述胶粘剂组合物含有约0.01～约10重量份的固化剂和约60～约100重量份的添加剂。