[发明专利]沟槽式栅极结构及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽式栅极结构的制作方法，其特征在于包括：

提供基底，具有沟槽，所述沟槽包括内侧表面，其特征在于沟槽分成下部区和上部区；

形成栅极介电层在所述的沟槽的内侧表面上；

形成下部栅极电极在所述沟槽的下部区，其中所述的下部栅极电极包含一凸出弧面；

形成一间隙壁在所述上部区的栅极介电层上；及

形成上部栅极电极，填入所述沟槽的上部区而完成一沟槽式栅极结构。

2.根据权利要求1所述的沟槽式栅极结构的制作方法，其特征在于所述的下部栅极电极包含外延硅。

3.根据权利要求2所述的沟槽式栅极结构的制作方法，其特征在于形成所述下部栅极电极的步骤包括：

在所述的栅极介电层上形成一硅晶种层；及

进行一外延硅成长工艺而形成所述的下部栅极电极。

4.根据权利要求1所述的沟槽式栅极结构的制作方法，其特征在于在形成所述栅极介电层后，形成所述间隙壁。

5.根据权利要求1所述的沟槽式栅极结构的制作方法，其特征在于所述的间隙壁是直接形成在所述下部栅极电极的所述凸出弧面上。

6.根据权利要求1所述的沟槽式栅极结构的制作方法，其特征在于另包括：

完成所述的沟槽式栅极结构后，在所述的沟槽式栅极结构一侧的所述基底中形成源极/漏极掺杂区，其特征在于所述的源极/漏极掺杂区具有一个接面深度，所述的间隙壁具有一个底部深度，其中接面深度比底部深度深。

7.一种沟槽式栅极结构，其特征在于包括：

基底，具有沟槽，所述的沟槽包含一内侧表面，且所述的沟槽分成下部区和上部区；

栅极介电层设在所述沟槽的所述内侧表面上；

下部栅极电极，在所述沟槽的所述下部区且位于所述的栅极介电层上，其中所述的下部栅极电极包含一凸出弧面；

间隙壁位于所述沟槽的所述上部区且位于所述栅极介电层上；及

上部电极，在所述的沟槽的所述上部区并且在所述的下部栅极电极的上方。

8.根据权利要求7所述的沟槽式栅极结构，其特征在于所述的下部栅极电极包含一外延硅。

9.根据权利要求7所述的沟槽式栅极结构，其特征在于另包含：

一源极/漏极掺杂区，设于所述的沟槽式栅极结构的一侧的所述的基底中，其中所述的源极/漏极掺杂区具有一个接面深度，所述的间隙壁具有一个底部深度，所述的接面深度比所述的底部深度深。

10.根据权利要求7所述的沟槽式栅极结构，其特征在于所述的间隙壁位于所述的下部栅极电极的所述凸出弧面上。