[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤：

利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上，其中，所述半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域，其中，所述多个第一半导体芯片中的第一个第一半导体芯片和第二个第一半导体芯片通过所述芯片切割区域彼此分开，所述半导体基底包括其上形成有有源区域的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

在所述多个第一半导体芯片中的第一个第一半导体芯片和第二个第一半导体芯片之间的芯片切割区域中形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽，从而将所述半导体基底分成多个第一半导体芯片；

将分别与所述多个第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到所述多个第一半导体芯片；

形成模塑层，以填充所述第一切割凹槽；以及

在所述模塑层中形成具有比所述第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽，从而将所述模塑层分成覆盖所述多个第一半导体芯片中的一个第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中的相应的一个第二半导体芯片的各个模塑层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一切割凹槽的步骤包括：将所述芯片切割区域的一部分和所述粘结层的一部分去除。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在形成所述第二切割凹槽的步骤中，所述模塑层的在所述粘结层的一部分被去除之处形成的部分被所述第二切割凹槽分开，从而形成相对于所述半导体基底的面对所述支撑基底的所述第一表面突出的突出部。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第一半导体芯片分别包括多个第一贯穿电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在利用所述粘结层将所述半导体基底附接在所述支撑基底上的步骤中，所述半导体基底的所述第一表面被形成为与所述粘结层接触。

6.根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在将所述半导体基底附接在所述支撑基底上之后，通过从所述半导体基底的所述第二表面去除所述半导体基底的一部分来使所述多个第一贯穿电极暴露。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多个第一半导体芯片还包括分别电连接到所述多个第一贯穿电极的多个第一连接凸起，

其中，利用所述粘结层将所述半导体基底附接在所述支撑基底上的步骤包括：形成所述多个第一连接凸起，以使所述多个第一连接凸起被所述粘结层围绕。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在第二半导体芯片中形成的半导体器件经由所述多个第一贯穿电极中的至少一些第一贯穿电极被电连接到所述多个第一连接凸起中的至少一些第一连接凸起。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二半导体芯片还包括分别与所述多个第一贯穿电极中的所述至少一些第一贯穿电极对应的多个第二连接凸起，

在附接所述第二半导体芯片的步骤中，所述多个第二连接凸起被形成为与相应的第一贯穿电极接触。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多个第一连接凸起被附接在所述第一半导体芯片的第一表面上。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多个第一连接凸起被附接在所述第一半导体芯片的第二表面上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个第一贯穿电极将形成在第一半导体芯片或第二半导体芯片中的半导体器件电连接到所述多个第一连接凸起。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多个第一连接凸起的厚度小于所述粘结层的厚度。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述粘结层的在所述第一切割凹槽中被去除的部分的深度小于第一连接凸起的厚度。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述模塑层的步骤包括：使用所述模塑层完全覆盖所述多个第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述模塑层的步骤包括：使用所述模塑层完全包围所述多个第二半导体芯片。