[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

本申请要求于2010年10月6日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0097415号韩国专利申请的权益，该申请公开的全部内容通过引用被包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体器件，更具体地说，涉及一种堆叠半导体封装件和一种制造该堆叠半导体封装件的方法。

背景技术

由于半导体工业的最新发展和用户的需求，电子器件逐渐具有大的容量，因此，作为电子器件的核心组件的半导体器件也会需要进行高度集成。然而，可能难以减少高集成度的半导体器件的设计规则。

发明内容

本发明构思提供了一种具有大的容量和最小化的体积的半导体封装件和一种制造所述半导体封装件的方法。

根据本发明构思的一方面，提供了一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤：利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上，其中，所述半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域，其中，所述多个第一半导体芯片中的第一个第一半导体芯片和第二个第一半导体芯片通过所述芯片切割区域彼此分开，所述半导体基底包括其上形成有有源区域的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述多个第一半导体芯片中的第一个第一半导体芯片和第二个第一半导体芯片之间的芯片切割区域中形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽，从而将所述半导体基底分成多个第一半导体芯片；将分别与所述多个第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到所述多个第一半导体芯片；形成模塑层，以填充所述第一切割凹槽；在所述模塑层中形成具有比所述第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽，从而将所述模塑层分成覆盖所述多个第一半导体芯片中的一个第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片中的相应的一个第二半导体芯片的各个模塑层。

形成所述第一切割凹槽的步骤包括：将所述芯片切割区域的一部分和所述粘结层的一部分去除。

在形成所述第二切割凹槽的步骤中，所述模塑层的在所述粘结层的一部分被去除的地方形成的部分可被所述第二切割凹槽分开，从而形成相对于所述半导体基底的面对所述支撑基底的所述第一表面突出的突出部。

所述多个第一半导体芯片可以分别包括多个第一贯穿电极。

在利用所述粘结层将所述半导体基底附接在所述支撑基底上的步骤中，可以将所述半导体基底的所述第一表面形成为接触所述粘结层。

所述方法还可以包括以下步骤：在将所述半导体基底附接在所述支撑基底上之后，通过从所述半导体基底的所述第二表面去除所述半导体基底的一部分来暴露所述多个第一贯穿电极。

所述多个第一半导体芯片还可以包括分别电连接到所述多个第一贯穿电极的多个第一连接凸起，其中，利用所述粘结层将所述半导体基底附接在所述支撑基底上的步骤可以包括：形成所述多个第一连接凸起，以使所述多个第一连接凸起被所述粘结层围绕。

在第二半导体芯片中形成的半导体器件可以经由所述多个第一贯穿电极中的至少一些第一贯穿电极被电连接到所述多个第一连接凸起中的至少一些第一连接凸起。

所述第二半导体芯片还可以包括分别与所述多个第一贯穿电极中的至少一些第一贯穿电极对应的多个第二连接凸起，在附接所述第二半导体芯片的步骤中，可以将所述多个第二连接凸起形成为接触相应的第一贯穿电极。

可以将所述多个第一连接凸起附接在第一半导体芯片的第一表面上。

可以将所述多个第一连接凸起附接在第一半导体芯片的第二表面上。

所述多个第一贯穿电极可以将形成在第一半导体芯片或第二半导体芯片中的半导体器件电连接到所述多个第一连接凸起。

所述多个第一连接凸起的厚度可以小于所述粘结层的厚度。

所述粘结层的在所述第一切割凹槽中被去除的部分的深度可以小于第一连接凸起的厚度。

形成所述模塑层的步骤可以包括：使用所述模塑层完全地覆盖所述多个第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片。

形成所述模塑层的步骤可以包括：使用所述模塑层完全包围所述多个第二半导体芯片。

所述方法还可以包括以下步骤：在形成所述模塑层之前，对第一半导体芯片和与该第一半导体芯片对应的第二半导体芯片执行测试。

在利用所述粘结层将所述半导体基底附接在所述支撑基底上的步骤中，可以将所述第二表面形成为接触所述粘结层。

在形成所述第二切割凹槽的步骤中，所述模塑层的在形成所述第二切割凹槽之后的剩余部分可以被形成为完全地覆盖所述第一切割凹槽的侧壁。

在形成所述第二切割凹槽的步骤中，可以将所述第二切割凹槽形成为穿过所述模塑层。