[发明专利]半导体装置和数据处理方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括

总线反转信息DBI处理单元，所述DBI处理单元被配置成当接收多比特数据、计算所述数据的DBI信息并输出多个DBI标志信号时，产生所述多个DBI标志信号使得每个DBI标志信号反映出所述数据的预定比特的DBI信息；

第一循环冗余校验CRC处理单元，所述第一CRC处理单元被配置成使用所述多比特数据和在所述多个DBI标志信号中计算出的部分DBI标志信号来计算CRC信息并输出多个CRC信号；以及

第二CRC处理单元，所述第二CRC处理单元被配置成使用所述多个CRC信号和在所述多个DBI标志信号中计算出的其余DBI标志信号来输出CRC码。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

数据处理单元，所述数据处理单元被配置成响应于DBI使能信号和所述多个DBI标志信号来选择性地将所述多比特数据反相，并输出反相的数据作为输出数据。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述DBI处理单元被配置成确定所述数据的预定比特的多数的值，并基于确定结果来决定每个DBI标志信号的电平。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一CRC处理单元被配置成对所述多比特数据和所述部分DBI标志信号进行异或操作并产生所述多个CRC信号。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二CRC处理单元被配置成对所述多个CRC信号和所述其余DBI标志信号执行异或操作并产生所述多个CRC码。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述数据处理单元包括：

DBI延迟模型部，所述DBI延迟模型部被配置成将所述多比特数据延迟所述DBI处理单元用来计算所述DBI信息所需的时间段，并输出延迟后的数据；

信号反相部，所述信号反相部被配置成对从所述DBI延迟模型部输出的信号进行反相并输出；

第一选择部，所述第一选择部被配置成响应于所述多个DBI标志信号来选择性地输出所述DBI延迟模型部的输出信号和所述信号反相部的输出信号中的一个；以及

第二选择部，所述第二选择部被配置成响应于所述DBI使能信号来选择性地输出所述多比特数据和所述第一选择部的输出信号中的一个。

7.一种数据处理方法，包括以下步骤：

接收多比特数据，计算所述数据的DBI信息并输出多个DBI标志信号；

使用所述多比特数据和从所述多个DBI标志信号中计算出的部分DBI标志信号来计算CRC信息，并输出多个CRC信号；以及

使用所述多个CRC信号和所述多个DBI标志信号中的其余DBI标志信号来输出CRC码。

8.根据权利要求7所述的数据处理方法，还包括以下步骤：

响应于所述多个DBI标志信号来选择性将所述多比特数据反相，并输出反相的数据作为输出数据。

9.根据权利要求7所述的数据处理方法，其中，当输出所述多个DBI标志信号时，确定所述数据的预定比特的多数的值，并基于确定结果来决定每个DBI标志信号的电平。

10.根据权利要求7所述的数据处理方法，其中，当输出所述多个CRC信号时，对所述多比特数据和所述部分DBI标志信号进行异或操作以产生所述多个CRC信号。

11.根据权利要求7所述的数据处理方法，其中，当输出所述CRC码时，对所述多个CRC信号和所述其余DBI标志信号执行异或操作以产生所述多个CRC码。