[发明专利]不间断的突入电流保护电路无效
申请号: | 201110308341.1 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN102315631A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 胡明茂;薛礼强;黄连丽;殷旅江 | 申请(专利权)人: | 湖北汽车工业学院 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 十堰博迪专利事务所 42110 | 代理人: | 宋志雄 |
地址: | 442001 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不间断 突入 电流 保护 电路 | ||
1.不间断的突入电流保护电路,包括负载(40)和电源(45),负载(40)前并联有滤波电容(51),其特征在于:在电源(45)和滤波电容(51)及负载(40)回路中串联有非线性电阻(63),非线性电阻(63)的另一管脚连接有控制电路(62)、(44)。
2.如权利要求1所述的不间断的突入电流保护电路,其特征在于:在控制电路(44)、(62)的前端再设有取样电阻(21)、电容(22),取样电阻(21)、电容(22)的另两端并联至电源(45)。
3.如权利要求1所述的不间断的突入电流保护电路,其特征在于:所述的非线性电阻(63)采用MOSFET电路。
4.如权利要求1或3所述的不间断的突入电流保护电路,其特征在于:在取样电阻(21)、电容(22)外再并联有稳压电阻(37)和稳压管(38),中间的连接端再连接有滤波发生器(84)和放大电路(73)至非线性电阻MOSFET(63)。
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