[发明专利]不间断的突入电流保护电路

说明书

技术领域

本发明涉及电流保护电路，具体是具有持续保护功能不间断的突入电流保护电路。

背景技术

一般来说，电源转换器是将一种电压的电源转化成另外一种电压的输出，以满足设计需求，但是，由于电源转换器刚上电时，有很大的输入电流产生，即突入电流，其电流远大于正常工作的电流，这个非正常的电流在每次上电时都产生，长期使用会导致电源转换器，滤波电容以及桥式整流管损坏；同时有些前级电源具有输出过电流保护功能，在这种情况下，突入电流大于前级电源保护电流会造成前级电源的重启或关闭。

对于突入电流保护，可以采用电阻类器件作为保护电路，有美国专利US6,297,979B1采用此种保护电路，在此专利中提到，采用一个负温度系数电路串联在回路中，在系统上电前此电阻阻值很大，达到突然电流保护，然后电流经过电阻，电阻发热，阻值变小，完成通路设计，但此种设计有个缺陷就是当电源工作后断电后再立即上电，此时温度系数电阻处于低电阻阻值，这样就不能达到突然电流保护。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有不间断的突入电流保护电路。不仅能够常态启动下达到突入电流保护功能，同时在短暂断电重启动的状态下，也能达到突入电流保护功能。

为了达到上述目的，本发明的技术方案为，不间断的突入电流保护电路，包括负载（40）和电源（45），负载（40）前并联有滤波电容（51），其特征在于：在电源（45）和电容（51）及负载（40）回路中串联有非线性电阻（63），非线性电阻（63）的另一管脚连接有控制电路（62）、（44）。

对上述方案的改进在于：在控制电路（44）、（62）的前端再设有取样电阻（21）、电容（22），取样电阻（21）、电容（22）的另两端并联至电源（45）。

对上述方案的改进在于：所述的非线性电阻（63）采用MOSFET电路。

对上述方案的改进在于：在取样电阻（21）、电容（22）外再并联有稳压电阻（37）和稳压管（38），中间的连接端再连接有滤波发生器（84）和放大电路（73）至非线性电阻MOSFET（63）。

有益效果：

本发明采用一个非线性可控电阻串联中到回路中，通过检测电源处于不同状态下，主动改变非线性电阻的阻值，在电源上电初，突入电流比较大的时候，非线性电阻处于阻值较高状态，随之，非线性阻值逐渐变小,最后该非线性电阻处于低阻值，系统处于稳定工作状态。

 附图说明

图1是本发明的电路示意图。

图2是本发明的图1的更精确的电路示意图。

45电源，51电容，40负载，63非线性电阻MOSFET，62、44控制电路， 21取样电阻，22电容，37稳压电阻，38稳压管，84滤波发生器，73放大电路。

具体实施方式

本发明如图1、2所示。

根据本发明的保护电路，其设计原理是采用一个非线性可控电阻串联在回路里，在不同阶段，控制其电阻值，以达到系统平稳启动，控制突入电流。在系统上电时，非线性可控电阻，处于阻值较高状态，可以抑制突入电流，通过外部控制，调节非线性可控电阻阻值至低阻值，处于正常工作状态。

图1所示，在电源45和电容51及负载40回路中串联有非线性电阻MOSFET63，非线性电阻MOSFET63的另一管脚连接有控制电路62、44；在控制电路44、62的前端再设有取样电阻21、电容22，取样电阻21、电容22的另两端并联至电源45。

非线性电阻采用MOSFET 63, 串联在回路中，通过改变非线性电阻MOSFET63的导通电阻来实现抑制突入电流，如果在没有非线性电阻MOSFET63的情况下，系统上电时，电源45和电容51形成瞬时回路，就会有个很大的突入电流，但是当回路中串入可控非线性电阻MOSFET63时，系统上电时，电源45，电容51以及非线性电阻MOSFET63形成一个瞬时回路，此时控制电路44和62使非线性电阻MOSFET63处以一个阻值较高的状态，这样就能有效的抑制突入电流；随着电容51充电到一定程度时，控制电路44和62控制非线性电阻MOSFET63，使之阻值逐渐变小，电容51也充电完成，最后非线性电阻MOSFET63处于低导通电阻状态，电源45，负载40以及非线性电阻MOSFET63形成一个工作回路。