[发明专利]MOSFET及其制造方法

权利要求书

1.一种在SOI晶片中形成的MOSFET，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上，所述MOSFET包括：

浅沟槽隔离区，在所述半导体层中限定有源区；

栅叠层，位于所述半导体层上；

源区和漏区，位于所述半导体层中且位于所述栅叠层两侧；

沟道区，位于所述半导体层中且夹在所述源区和漏区之间；

背栅，位于所述半导体衬底中；

第一假栅叠层，与所述半导体层和所述浅沟槽隔离区之间的边界重叠；以及

第二假栅叠层，位于所述浅沟槽隔离区上，

其中，所述MOSFET还包括位于栅叠层和第一假栅叠层之间并且分别与源区和漏区电连接的导电通道、以及位于第一假栅叠层和第二假栅叠层之间并且与背栅电连接的导电通道。

2.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述背栅的掺杂类型与MOSFET的类型相同或相反。

3.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述背栅中的掺杂浓度为1×10¹⁷/cm³至1×10²⁰/cm³。

4.根据权利要求1所述的MOSFET，其中所述栅叠层、所述第一假栅叠层和所述第二假栅叠层具有相同的结构。

5.根据权利要求4所述的MOSFET，其中所述栅叠层、所述第一假栅叠层和所述第二假栅叠层分别包括栅介质层和栅导体。

6.根据权利要求1所述的MOSFET，还包括在背栅、源区和漏区的表面上形成的硅化物，导电通道与硅化物接触。

7.一种在SOI晶片上制造MOSFET的方法，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上，所述方法包括：

在所述半导体中形成浅沟槽隔离区以限定有源区；

执行背栅离子注入，在所述半导体衬底中形成背栅；

在所述半导体层上形成栅叠层；

在所述半导体层和所述浅沟槽隔离区之间的边界重叠的位置形成第一假栅叠层；

在所述浅沟槽隔离区上形成第二假栅叠层；

采用栅叠层和第一假栅叠层作为硬掩模，执行源/漏离子注入，在所述半导体层中形成自对准的源区和漏区；以及

在栅叠层和第一假栅叠层之间形成分别与源区和漏区电连接的导电通道，并且在第一假栅叠层和第二假栅叠层之间形成与背栅电连接的导电通道。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行背栅离子注入的注入剂量为1×10¹³/cm²至1×10¹⁵/cm²。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，在执行背栅离子注入中采用的掺杂剂的掺杂类型与MOSFET的类型相同或相反。

10.根据权利要求7所述的方法，其中在相同的步骤中同时形成栅叠层、第一假栅叠层和第二假栅叠层。

11.根据权利要求7所述的方法，在执行源/漏离子注入的步骤和形成导电通道的步骤之间，还包括采用栅叠层、第一假栅叠层和第二假栅叠层作为硬掩模，在背栅、源区和漏区的表面上形成硅化物。