[发明专利]一种减少双层前金属介电质层开裂的方法

权利要求书

1.一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：该工艺步骤如下：

1）提供具有N/PMOS的衬底；

2）在衬底上沉积氮化硅蚀刻阻挡层；

3）在氮化硅蚀刻阻挡层上沉积第一前金属介电质层；

4）对第一前金属介电质层进行含氧的等离子体处理；

5）在第一前金属介电质层上沉积第二前金属介电质层；

6) 对第二前金属介电质层进行化学机械研磨以达到设计要求厚度。

2.如权利要求1所述的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：所述第一前金属介电质层为HDP PSG，其中磷浓度的含量为2-8%，厚度为800～2000A。

3.如权利要求1所述的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：所述沉积第一前金属介电质层的温度小于500℃。

4.如权利要求1所述的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：所述第二前金属介电质层为由PECVD方法沉积的不含磷二氧化硅薄膜，厚度为3000～10000A，沉积温度为300～500℃。

5.如权利要求1所述的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：所述对第一前金属介电质层进行含氧等离子体处理时，含氧等离子体为下列气体之一：O₃，O₂或者N₂O。

6.如权利要求1所述的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：所述对第一前金属介电质层进行含氧等离子体处理，处理时间范围在20～40s之间。

7.如权利要求1所述的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：所述对第一前金属介电质层进行含氧等离子体处理，含氧气体的流量范围为：20～50sccm。

8.如权利要求1所述的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：所述对第一前金属介电质层进行含氧等离子体处理，氩气的流量范围为：100～200sccm。

9.如权利要求1所述的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：所述对第一前金属介电质层进行含氧等离子体处理，下部射频电功率范围为：3000～5000W。

10.如权利要求1所述的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：所述对第一前金属介电质层进行含氧等离子体处理，中部射频电功率范围为：1000～2000W。

11.如权利要求1所述的一种减少双层前金属介电质层开裂的方法，其特征在于：所述对第一前金属介电质层进行含氧等离子体处理，上部射频电功率范围为：2000～4000W。