[发明专利]一种减少浅沟槽隔离缺陷的方法无效
| 申请号： | 201110309746.7 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102610551A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;陈玉文;郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 沟槽 隔离 缺陷 方法 | ||
1.一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，其特征在于：该工艺步骤如下：
1）进行有源区氧化物沉积，氮化硅（SIN）沉积，形成衬底；
2）进行浅沟槽隔离（STI）刻蚀；
3）进行浅沟槽隔离（STI）内衬氧化物层沉积；
4）进行含氮的等离子体处理；
5）进行浅沟槽隔离（STI）高密度等离子体沉积；
6) 进行透射电镜（TEM）空洞检测；
7）如检测结果不符合要求，则对工艺参数进行调整，再次实施步骤（5）浅沟槽隔离（STI）高密度等离子体沉积；如检测结果符合要求，则确认工艺参数，确定工艺流程。
2.如权利要求1所述的一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，其特征在于：所述的含氮的等离子体为下列之一：N2，N2O，NH3。
3.如权利要求1所述的一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，其特征在于：所述步骤（4）进行含氮的等离子体处理的操作时间范围为5～30秒。
4.如权利要求1所述的一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，其特征在于：所述步骤（4）进行含氮的等离子体处理的操作压力范围为2～8torr。
5.如权利要求1所述的一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，其特征在于：所述步骤（4）进行含氮的等离子体处理的操作温度范围为300～500℃。
6.如权利要求1所述的一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，其特征在于：所述步骤（4）进行含氮的等离子体处理的射频电功率范围为100～1000W。
7.如权利要求1所述的一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，其特征在于：所述步骤（4）进行含氮的等离子体处理的喷头与衬底间距离范围为200～800mil。
8.如权利要求1所述的一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，其特征在于：所述步骤（4）进行含氮的等离子体处理的气体流量范围为2000～20000sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
