[发明专利]一种触摸屏用防指纹膜的制备方法

权利要求书

1.一种触摸屏用防指纹膜的制备方法，其特征在于，其包括如下的步骤：

步骤1：将洁净的强化玻璃基材放入PECVD沉积室中，通过O₂和Ar辉光放电对玻璃基材进行刻蚀与活化; 

其中所述的强化玻璃基材放入PECVD真空室内时，开始抽真空至压力为10^-3mbar，然后给真空室注入气体流量为500sccm的 O₂和300sccm的Ar至真空室的压力为1.0×10^-4~2.0×10^-2mbar之间，加中频功率为6000w，然后5s内升至8000w放电启辉30s;

步骤2：利用硅氧烷高温裂解形成SiO_x，在离子清洗和刻蚀后的强化玻璃基材表面沉积SiO_x缓冲层;

其中所述的离子清洗和刻蚀完成后，抽真空至压力为5.0×10^-3mbar，然后充入气体流量为500sccm的O₂和100sccm的硅油至真空室内压力为1.0×10^-4~5.0×10^-1mbar之间，持续中频功率为8000w开始沉积SiO_x，沉积时间为30s，得到厚度为10-20nm的SiO_x缓冲层;

步骤3：通过O₂辉光放电，对SiO_x缓冲层进行刻蚀、剥离附着力较差的SiO_x和补充O形成SiO₂缓冲层；

其中步骤2中所述的SiO_x沉积完成后，抽真空至压力为1.0×10^-2mbar，持续充入气体流量为500sccm的O₂至真空室内压力为1.0×10^-4~5.0×10^-1mbar之间，持续中频功率为8000w放电起辉30s，起到刻蚀SiO_x表面、剥离附着力较差的SiO_x和为SiO_x补充O形成SiO₂缓冲层的作用;

步骤4：利用热蒸发法在O₂辉光放电后形成的SiO₂缓冲层表面沉积触摸屏用防指纹膜;

其中步骤3中所述的刻蚀SiO_x表面、剥离附着力较差的SiO_x和为SiO_x补充O形成SiO₂缓冲层完成后，抽真空至压力为10^-5mbar，30s内将灯丝电流由0A提升至270A，开始沉积触摸屏用防指纹膜，沉积时间为150s，得到厚度为10-30nm的触摸屏用防指纹膜层。