[发明专利]一种触摸屏用防指纹膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明用于光电子器件制造技术领域，具体涉及电容式触摸屏用防指纹膜的制备工艺中，一种提高防指纹膜与强化玻璃基材附着力的制备方法。

背景技术

触摸屏用防指纹防指纹膜，具有良好的疏水性和疏油性，广泛应用于手机和平板电脑等触控技术领域，增加触摸屏用防指纹膜与玻璃基材之间的镀层附着力一直是触控行业的永久性话题。在触摸屏用防指纹膜与玻璃基材之间增加一层SiO₂缓冲层，可以提高触摸屏用防指纹膜与玻璃基材的镀层附着力。制备该缓冲层和触摸屏用防指纹膜常用的方法有PVD法和CVD法两种，其中PVD技术沉积速度慢且镀层附着力不足，而CVD技术的沉积温度较高（900~1200℃）。因此，兼具PVD和CVD技术优点的PECVD技术很快便成为了人们的研究热点。

采用PECVD以传统的刻蚀、镀SiO₂缓冲层和镀触摸屏用防指纹膜三步工艺方法，在玻璃基材表面镀SiO₂缓冲层和防指纹膜时，容易造成SiO₂缓冲层表面平滑度极高，从而限制了SiO₂缓冲层与触摸屏用防指纹膜的镀层附着力。同时，随着触控技术的发展，对于触摸屏用防指纹膜与玻璃基材镀层附着力的要求越来越高，传统工艺在镀层附着力要求方面也面临着越来越大的挑战。

因此，改善PECVD的镀膜工艺，提高强化玻璃基材与触摸屏用防指纹膜之间的镀层附着力这一重大课题已经提上日程。

发明内容

为了解决上述缺陷，本发明的目的是设计一种利用PECVD制备触摸屏用防指纹膜的方法，该工艺方法可以提高触摸屏用防指纹膜与玻璃基材的镀层附着力等问题。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

步骤1：将洁净的强化玻璃基材放入PECVD沉积室中，通过O₂和Ar辉光放电对玻璃基材进行刻蚀与活化; 

其中所述的强化玻璃基材放入PECVD真空室内时，开始抽真空至压力为10^-3mbar，然后给真空室注入气体流量为500sccm的 O₂和300sccm的Ar至真空室的压力为1.0×10^-4~2.0×10^-2mbar之间，加中频功率为6000w，然后5s内升至8000w放电启辉30s;

步骤2：利用硅氧烷高温裂解形成SiO_x，在离子清洗和刻蚀后的强化玻璃基材表面沉积SiO_x缓冲层;

其中所述的离子清洗和刻蚀完成后，抽真空至压力为5.0×10^-3mbar，然后充入气体流量为500sccm的O₂和100sccm的硅油至真空室内压力为1.0×10^-4~5.0×10^-1mbar之间，持续中频功率为8000w开始沉积SiO_x，沉积时间为30s，得到厚度为10-20nm的SiO_x缓冲层;

步骤3：通过O₂辉光放电，对SiO_x缓冲层进行刻蚀、剥离附着力较差的SiO_x和补充O形成SiO₂缓冲层。

其中步骤2中所述的SiO_x沉积完成后，抽真空至压力为1.0×10^-2mbar，持续充入气体流量为500sccm的O₂至真空室内压力为1.0×10^-4~5.0×10^-1mbar之间，持续中频功率为8000w放电起辉30s，起到刻蚀SiO_x表面、剥离附着力较差的SiO_x和为SiO_x补充O形成SiO₂缓冲层的作用;

步骤4：利用热蒸发法在O₂辉光放电后形成的SiO₂缓冲层表面沉积触摸屏用防指纹膜;

其中步骤3中所述的刻蚀SiO_x表面、剥离附着力较差的SiO_x和为SiO_x补充O形成SiO₂缓冲层完成后，抽真空至压力为10^-5mbar，30s内将灯丝电流由0A提升至270A，开始沉积触摸屏用防指纹膜，沉积时间为150s，得到厚度为10-30nm的触摸屏用防指纹膜层。

本发明的有益效果：