[发明专利]光刻装置和器件制造方法

说明书

本申请是申请号为2005101141366、申请日为2005年10月18日、发明名称为：光刻装置和器件制造方法的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种光刻装置和一种器件制造方法。

背景技术

光刻装置是将所需图案应用于基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置是可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传递到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的传递是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地、单一的基底将包含相继构图的相邻靶部的整个网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件传递到基底上。

已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有更短的波长，从而使得能够对更小的特征进行成像。(液体的作用也可以认为是增加了系统的有效NA(数值孔径)和增加了焦深。)也有人提议其它浸液，包括其中悬浮有固体微粒(如石英)的水。

但是，将基底或者基底和基底台浸没在液体浴糟(例如参见US4,509,853，在此将该文献全文引入作为参考)中意味着在扫描曝光过程中必须加速大量的液体。这需要附加的或者功率更大的电机，并且液体中的紊流可能导致不期望的和不可预料的结果。

提出的一种用于液体供给系统的技术方案是仅在基底的局部区域上以及投影系统的最后一个元件和基底(通常该基底具有比投影系统的最后一个元件更大的表面区域)之间提供液体。在PCT专利申请WO99/49504中公开了一种已经提出的用于该方案的方式在此将该文献全文引入作为参考。如图2和3所示，道过至少一个入口IN将液体提供到基底上，优选地沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供，以及在经过投影系统下方之后通过至少一个出口OUT去除液体。也就是说，沿-X方向在该元件下方扫描基底时，在元件的+X一侧提供液体，-X一侧接收。图2示出了示意性的布置，其中通过入口IN提供液体，和通过与低压源相连接的出口OUT在元件的另一侧接收。在图2的说明中，沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供液体，尽管可以不必这样。围绕最后一个元件定位的入口和出口的各种定向和数量都是可能的，图3示出了一个实例，其中在围绕最后一个元件的规则图案中提供了四组位于任一侧的入口以及出口。

在湿浸式光刻技术中，投影系统和基底之间的空间填充有液体(如水)。在基底的曝光过程中，基底构成限制液体边界的一部分。在移去基底并用另一个基底更换的过程中，例如，液体可以从所述空间排出，以便允许更换基底。一种该方法的可能不利方面是可能在与液体接触的投影系统的一个元件上形成干燥点。附加地或者可替换地，在液体和去除液体的真空流中的变化可能需要时间进行处理，这可能导致生产量的下降。

发明内容

因此，有利的是，例如在移动基底的过程中，通过用封闭板替换基底而不扰动存在于基底和光学元件之间的液体使浸没光刻投影装置的元件浸润。通过使用另一个具有提供限制液体边界的功能的本体(如封闭板)，可以不必在移动基底(和提供新的基底)的过程中从基底和投影系统之间去除液体。

根据本发明的一个方面，提供一种光刻投影装置，包括：

配置成保持基底的基底台；

配置成把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；

液体限制结构、其配置成把液体限制在投影系统和基底之间的空间中、基底、基底台或上述两者配置成构成所述空间的边界的一部分；以及

封闭板，封闭板配置成当基本上没有扰动液体、液体限制结构或上述两者而移动时，该替代基底、基底台或上述两者构成空间的边界的一部分。

根据本发明的另一个方面，提供一种器件制造方法，包括以下步骤；

将液体提供给带图案的光束穿过的空间，基底、基底台或上述两者构成所述空间的边界的一部分；

交液体密封在空间中，所述密封在基底、基底台或上述两者和另一个结构之间作用；

用封闭板替换基底、基底台或上述两者作为所述空间边界的一部分，而不破坏所述密封；以及