[发明专利]透光性光电模块及其制造方法以及包括该模块的多层玻璃有效
申请号: | 201110314232.0 | 申请日: | 2011-10-17 |
公开(公告)号: | CN102479858A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 明承烨 | 申请(专利权)人: | 韩国铁钢株式会社 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;E04D13/18;E06B3/66 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 杨颖;张一军 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透光 光电 模块 及其 制造 方法 以及 包括 多层 玻璃 | ||
技术领域
本发明涉及能够提高美感的同时提高光电转换效率的透光性光电模块及其制造方法以及该模块的应用。
背景技术
目前,伴随着现有能源如石油、煤炭等将会枯竭的预测,人们越来越关注替代这些现有能源的可替代能源。其中,太阳能因其资源丰富且不污染环境而特别受到瞩目。
将太阳能转换为电能的光电模块和二极管一样,具有p型半导体和n型半导体的接合结构。当光照射到光电模块时,光和光电模块中构成半导体的物质之间产生相互作用,产生带(-)电荷的电子和带(+)电荷的空穴,电荷的流动产生电流。
目前,人们越来越关注安装在建筑物的屋顶、墙壁或窗户等上面且能够发电的建筑一体化光电模块(BIPV:Building Integrated Photovo1taic)。如上所述的建筑一体化光电模块不仅具备本身的发电功能,还要具备其它的一些特征。尤其,从这样的建筑一体化光电模块构成建筑物外表面的方面考虑,需要提供一种提高美感的光电模块。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够提高美感的同时提高发电效率的透光性光电模块及其制造方法。
本发明所要解决的技术课题不局限于上述的技术课题,属于本领域的技术人员应该能够根据本发明的记载内容清楚地理解除了本发明中记载之外的其它的技术课题。
根据本发明的一个方式的透光性光电模块包括:第一透光性基板;第二透 光性基板;第一透光性电极和第二电极,位于所述第一透光性基板和所述第二透光性基板之间;光活性层,位于所述第一透光性电极和所述第二透光性电极之间,并且进行光电转换;保护层,位于所述第二电极和所述第二透光性基板之间,朝向所述第一透光性基板的所述第二透光性基板表面上形成有三维光子晶体结构层。
根据本发明的其它方式的透光性光电模块的制造方法包括:准备第一透光性基板的步骤;在所述第一透光性基板上形成包括胶体粒子的蛋白石模具的步骤;用反转物质填充所述蛋白石模具的所述胶体粒子之间的间隙的步骤;除去所述蛋白石模具,以便在所述第一透光性基板上形成反蛋白石结构的步骤。
包括根据本发明的又一方式的透光性光电模块的三重的多层玻璃包括:第一透光性基板;第二透光性基板;第一透光性电极和第二电极,位于所述第一透光性基板和所述第二透光性基板之间;光活性层,位于所述第一透光性电极和所述第二电极之间,并且进行光电转换;保护层,位于所述第二电极和所述第二透光性基板之间;第三透光性基板;绝热层,隔开所述第二透光性基板和所述第三透光性基板之间,朝向所述第一透光性基板的所述第二透光性基板的前面、所述第二透光性基板的背面和朝向所述第一透光性基板的所述第三透光性近半的前面中的至少一个面上形成三维光子晶体结构层。
根据本发明,利用三维光子晶体的干扰色,能够提供具有多种颜色的透光性光电模块。另外,根据本发明,通过背面反射提高长波长区域的吸收,能够提供高效率的透光性光电模块。另外,根据本发明,光电电池不受损的情况下使三维光子晶体包括在光电模块中,因此能够提供如上所述的效果。另外,能够提供包括利用三维光子晶体的透光性光电模块的多层玻璃。
附图说明
图1表示包括根据本发明一个实施例的三维光子晶体的透光性光电模块;
图2a至图2d表示根据本发明的实施例,在透光性基板上形成反蛋白石结构的制造过程;
图3表示包括利用根据本发明一个实施例的三维光子晶体的透光性光电模块的多层玻璃。
附图标号说明
100:第一基板
200:光电层
210:第一电极
220:光活性层
230:第二电极
300:保护层
400:三维光子晶体、反蛋白石结构
410:蛋白石模具
500:第二基板
700:光电模块
800:绝热层
900:第三基板
具体实施方式
以下,参照附图详细说明本发明的优选实施例。但是,本发明的实施方式可以变更为其它多种方式,本发明的范围并不局限于以下说明的实施例。为了更加清楚地说明,请留意:附图中的要素形状和尺寸等都可以被夸大,即使附图标号针对相同的构成要素以不同的附图标号来表示也尽可能以相同的附图标号来标注。另外,对本发明进行说明时,认为与公知功能或对构成的具体说明有可能混淆本发明的主要内容时,将省略对其的详细说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的