[发明专利]半导体的接触孔结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体接触孔结构的方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，其内设置有导电区域；

在所述半导体基底上依次形成第一、二介质层；

形成掩膜，所述掩膜在对应所述导电区域处形成有缺口；

利用所述掩膜刻蚀所述第二介质层、第一介质层，以在所述第一、二介质层内形成与所述导电区域相连的通孔，其中，所述第一介质层内通孔的宽度小于所述第二介质层内通孔的宽度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层、第一介质层后，另包括：

去除所述掩膜；

在所述通孔内填充导电材料。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述导电材料为钨或铜。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述通孔内填充导电材料之前，所述方法另包括在所述通孔底部和侧墙沉积阻挡层的步骤，所述阻挡层的材料为TaN或CuMn。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀中，第一介质层和第二介质层的刻蚀比范围为3到5。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层/第二介质层的材料组合是等离子增强氧化硅/富硅氧化物、氮化硅/掺氮碳化硅、低介电常数氧化硅/等离子增强氧化硅中的一种。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层内的通孔的截面形状为上宽下窄的梯形。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜为无定形碳和掺氮氧化硅组合，或低温氧化硅和有机材料组合，或Si-ARC和有机材料组合，或光刻胶图案。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用沉积工艺形成所述第一、二介质层。

10.一种半导体接触孔结构，其特征在于，包括：

半导体基底，其内设置有导电区域；

依次形成在所述半导体基底上的第一、二介质层；

形成在所述第一、二介质层内并与所述导电区域相连的通孔，其中，所述第一介质层内通孔的宽度小于所述第二介质层内通孔的宽度。

11.如权利要求10所述的接触孔结构，其特征在于，另包括填充在所述通孔内的导电材料。

12.如权利要求11所述的接触孔结构，其特征在于，所述导电材料为钨或铜。

13.如权利要求11或12所述的接触孔结构，其特征在于，在所述导电材料与所述通孔底部、侧墙之间形成有阻挡层，所述阻挡层的材料为TaN或CuMn。

14.如权利要求10所述的接触孔结构，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的刻蚀比范围为3到5。

15.如权利要求10所述的接触孔结构，其特征在于，所述第一介质层/第二介质层的材料组合是等离子增强氧化硅/富硅氧化物、氮化硅/掺氮碳化硅、低介电常数氧化硅/等离子增强氧化硅中的一种。

16.如权利要求10所述的接触孔结构，其特征在于，所述第一介质层内的通孔的截面形状为上宽下窄的梯形。