[发明专利]基板结构、半导体装置阵列及其半导体装置

权利要求书

1.一种基板结构，其为复合材料与金属所积层压合，该基板结构具有彼此相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面成型有多个承载部，该第二表面成型有多个电连接部，其特征在于，该基板结构包含以下所述的多种热应力释放结构的至少其中之一：

一第一热应力释放结构，为该基板结构在不同轴向具有相同的长度；

一第二热应力释放结构，为多个设置在该基板结构的各自独立的对位记号；

一第三热应力释放结构，为多个桥接线的宽度小于所述多个电连接部的宽度；

一第四热应力释放结构，为单一成型轴向的所述多个桥接线；以及

一第五热应力释放结构，其为至少一个设置在该基板结构上的净空区，该净空区沿着该基板结构的一轴向延伸成型，该净空区上不具有承载部或电连接部。

2.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，在该第二热应力释放结构中，所述的对位记号设置于该第一表面或第二表面的周缘，且相邻的该对位记号之间具有间隙而不相连。

3.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述多个桥接线成型在该第二表面且电连接于所述多个电连接部之间或是电连接于所述多个电连接部与所述多个对位记号之间。

4.如权利要求3所述的基板结构，其特征在于，每一该电连接部具有第一连接部与第二连接部，每一该承载部具有第一极性功能区与第二极性功能区，每一所述多个桥接线各自的成型轴向等同于该第一连接部和第二连接部之间的空隙的延伸轴向且不同于该第一极性功能区和第二极性功能区之间的空隙的延伸轴向。

5.如权利要求4所述的基板结构，其特征在于，每一所述多个桥接线的各自的成型轴向垂直于该第一极性功能区和第二极性功能区之间的空隙的轴向。

6.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，每一该电连接部具有第一连接部与第二连接部，每一该承载部具有第一极性功能区与第二极性功能区，该第一连接部和第二连接部之间的空隙的延伸轴向垂直于该第一极性功能区和第二极性功能区之间的空隙的延伸轴向。

7.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，在该第五热应力释放结构中，该净空区为该第一表面不具有所述多个承载部及该第二表面不具有所述多个电连接部的区域。

8.如权利要求7所述的基板结构，其特征在于，该净空区包括两交错设置的第一净空区和第二净空区。

9.如权利要求8所述的基板结构，其特征在于，该第一净空区或第二净空区至少具有一穿孔。

10.如权利要求7所述的基板结构，其特征在于，该净空区具有连接于所述多个电连接部之间或是连接于所述多个电连接部与所述多个对位记号之间的所述多个桥接线，每一该电连接部具有第一连接部与第二连接部，每一该承载部具有第一极性功能区与第二极性功能区，每一该桥接线的成型轴向等同于该第一连接部和第二连接部之间的空隙的延伸轴向且不同于该第一极性功能区和第二极性功能区之间的空隙的延伸轴向。

11.一种半导体装置阵列，其特征在于，包括：

一基板结构，其为复合材料与金属所积层压合，该基板结构具有彼此相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面成型有多个承载部，该第二表面成型有多个电连接部，所述多个承载部与所述多个电连接部相互对应而形成多个基板单元，该基板结构包含以下所述的多种热应力释放结构的至少其中之一：

一第一热应力释放结构，为该基板结构在不同轴向具有相同的长度；

一第二热应力释放结构，为多个设置在该基板结构上的各自独立的对位记号；

一第三热应力释放结构，为多个桥接线，其中所述多个桥接线的宽度小于所述多个电连接部的宽度；

一第四热应力释放结构，为单一成型轴向的所述多个桥接线；

一第五热应力释放结构，其为至少一个设置在该基板结构上的净空区，该净空区沿着该基板结构的一个轴向延伸成型，该净空区上不具有承载部或电连接部；

多个半导体元件，其分别电连接于每一该基板单元的该承载部；以及

多个封装体，其包覆其所对应的该半导体元件。

12.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置由如权利要求11所述的半导体装置阵列所切割而成。