[发明专利]基板结构、半导体装置阵列及其半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板结构、半导体装置阵列及其半导体装置，且特别涉及一种经过高温工艺后仍可保持平整的基板结构、半导体装置阵列及其半导体装置。

背景技术

电子元件在运作时所消耗的电能，除了实际工作外，大部分转化成热量，而电子元件产生的热量会使内部温度上升，因此必须提高散热的效率，以避免电子元件可靠度的下降。以发光二极管为例，经由不断的研发改善，使发光二极管具有较高的电功率及更强的工作电流，以期能生产出具有高亮度的发光二极管。但由于在提高其电功率及工作电流之下，发光二极管将会相对产生较多的热量，使得其易于因过热而影响其性能的表现，甚至造成发光二极管的失效。

为了提高散热的效率，散热基板的发展也逐渐受到重视，一般来说，发光二极管晶片可粘贴在供散热的金属块(slug)上，通过金属块的高热传导特性，发光二极管晶片的热量向外部传导。然，金属块与绝缘树脂材料进行压合，以组成用于承载发光二极管晶片的基板，而金属与复合材料之间均具有热物理特性的差异，如因金属与绝缘树脂材料之间的热膨胀系数差异大而造成热膨胀系数不匹配(CTE mis-match)的问题，故在经过高温工艺后，如回焊工艺因热膨胀比例不同而产生热应力，导致基板的变形。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种基板结构，本发明所制作的基板结构可利用其上的多种热应力释放结构来释放基板结构经过高温后因热应力所造成的翘曲现象，进而提高基板结构所制作的半导体装置的可靠度。

本发明实施例提供一种基板结构，其为复合材料与金属所积层压合，该基板结构具有一彼此相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面成型有多个承载部，该第二表面成型有多个电连接部，该基板结构包含以下所述的多种热应力释放结构的至少其中之一：一第一热应力释放结构，为该基板结构在不同轴向具有相同的长度；一第二热应力释放结构，为多个设置在该基板结构的各自独立的对位记号；一第三热应力释放结构，为多个桥接线的宽度小于所述多个电连接部的宽度；一第四热应力释放结构，为单一成型轴向的所述多个桥接线；一第五热应力释放结构，其为至少一个设置在该基板结构上的净空区，该净空区沿着该基板结构的一轴向延伸成型，该净空区上不具有承载部或电连接部。

本发明实施例提供一种半导体装置阵列，其包括：一种基板结构，其为复合材料与金属所积层压合，该基板结构具有彼此相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面成型有多个承载部，该第二表面成型有多个电连接部，所述多个承载部与所述多个电连接部相互对应而形成多个基板单元，该基板结构包含以下所述的多种热应力释放结构的至少其中之一：一第一热应力释放结构，为该基板结构在不同轴向具有相同的长度；一第二热应力释放结构，为多个设置在该基板结构上的各自独立的对位记号；一第三热应力释放结构，为多个桥接线，其中所述多个桥接线的宽度小于所述多个电连接部的宽度；一第四热应力释放结构，为单一成型轴向的所述多个桥接线；一第五热应力释放结构，其为至少一个设置在该基板结构上的净空区，该净空区沿着该基板结构的一个轴向延伸成型，该净空区上不具有承载部或电连接部；多个半导体元件，分别电连接于每一该基板单元的该承载部；以及多个封装体，分别包覆其所对应的该半导体元件。

本发明实施例提供一种半导体装置，其由前述的半导体装置阵列所切割成型者。

本发明具有以下有益的效果：本发明提出一种基板结构，其上具有至少一种热应力释放结构，以改善基板经过高温工艺后因基板中的各种材质的热物理特性不同所导致的基板翘曲问题。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1A显示本发明的基板结构的俯视立体图。

图1B显示本发明的基板结构的仰视立体图。

图2显示本发明的基板单元的剖视图。

图3A显示本发明的半导体装置的立体示意图。

图3B显示本发明的半导体装置的立体仰视图。

图4显示图1A的A部分的放大图。

图5显示图1B的B部分的放大图。

图6显示图1B的C部分的放大图。

图7A显示本发明的基板结构的俯视图。

图7B显示本发明的基板结构的仰视图。

图8A显示本发明第二实施例的基板结构的俯视图。

图8B显示本发明第二实施例的基板结构的仰视图。

图9显示本发明第三实施例的基板结构的仰视图。