[发明专利]一种氮化钛/镍纳米多层薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110316033.3 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102330062A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 贺春林;张金林;王建明;刘岩;马国峰;李海松;娄德元;杨雪飞;才庆魁 | 申请（专利权）人： | 沈阳大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18 |
| 代理公司： | 沈阳技联专利代理有限公司 21205 | 代理人： | 赵越 |
| 地址： | 110044 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 纳米 多层 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化钛/镍纳米多层薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
a 选用钢材为基体，基体表面经砂纸研磨并抛光后，分别用丙酮、酒精和去离子水超声波清洗、烘干后装入真空室准备镀膜；
b用直流反应磁控共溅射镀膜系统，纯金属钛靶和纯金属镍靶同时对准上方中心处的基体，沉积多层薄膜前先将真空室抽真空至6.0×10-4帕，然后通入高纯氩气，在基体上沉积一层厚度为30~100纳米的金属钛层；
c 通过计算机精确控制靶材上挡板的打开时间进行交替沉积TiN/Ni纳米多层薄膜；
d.镀膜结束后样品随炉冷却至室温即可。
2.根据权利要求1所述的一种氮化钛/镍纳米多层薄膜的制备方法，其特征在于，所述的沉积工艺条件为：钛靶功率40~100瓦，基体偏压0~-200伏，靶材与基体的距离6~12厘米，工作气压0.2~1.2帕，基体温度为室温~400摄氏度，基体自转速度为5~30 转每分钟。
3.根据权利要求1所述的一种氮化钛/镍纳米多层薄膜的制备方法，其特征在于，所述的镀膜工艺条件为：钛靶功率40~100瓦，镍靶功率15~50瓦；基体偏压0~-200伏，氮气分压3×10-3~1.1×10-1帕，靶材与基体的距离6~12厘米，工作气压0.2~1.2帕，基体温度为室温~400摄氏度，调制比为1:1~15:1，调制周期为2~150纳米，基体自转速度为5~30转每分钟。
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