[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一掺杂区，具有一第一导电型；以及

一半导体区，位于该第一掺杂区中，一源极电极与一漏极电极被分别电性连接至该第一掺杂区位于该半导体区的相对侧边上的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体区为一第二掺杂区，该第二掺杂区具有相反于该第一导电型的一第二导电型。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一掺杂区包括一掺杂埋藏区，该掺杂埋藏区具有一轻杂质浓度区与多个重杂质浓度区，该轻杂质浓度区邻近在该多个重杂质浓度区之间，该轻杂质浓度区与该多个重杂质浓度区具有该第一导电型。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中一栅极电极被电性连接至该半导体区。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一第一顶掺杂层与一第二顶掺杂层，其中该第一顶掺杂层具有该第一导电型，并位于该第一掺杂区上，该第二顶掺杂层具有相反于该第一导电型的一第二导电型，并位于该第一顶掺杂层上。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，更包括一介电结构，其包括多个互相分开的介电部分，其中该第一顶掺杂层是在该第一掺杂区位于该多个介电部分之间的部分上。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，更包括一介电结构，其包括一介电部分，其中该介电部分位于该第一顶掺杂层上。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一场板结构，位于该半导体区上。

9.一种半导体结构，包括：

一第一掺杂区，其包括一掺杂埋藏区，该掺杂埋藏区具有一轻杂质浓度区与多个重杂质浓度区，该轻杂质浓度区邻近在该多个重杂质浓度区之间，该轻杂质浓度区与该多个重杂质浓度区具有一第一导电型；

一第二掺杂区，具有相反于该第一导电型的一第二导电型；以及

一第三掺杂区，具有该第二导电型，其中该轻杂质浓度区邻近于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间。

10.一种半导体结构的形成方法，包括：

于一衬底上形成多个由一间隔部分互相分开的掺杂结构，其中该多个掺杂结构具有一第一导电型，该衬底具有相反于该第一导电型的一第二导电型；

于该多个掺杂结构上形成一第一掺杂阱与一第二掺杂阱，其中该第一掺杂阱具有该第一导电型，该第二掺杂阱具有该第二导电型；以及

进行一退火步骤，使该多个掺杂结构往该间隔部分扩散而互相连接成一掺杂埋藏区，该掺杂埋藏区具有一轻杂质浓度区与多个重杂质浓度区，该轻杂质浓度区的范围对应于该间隔部分的范围，该多个重杂质浓度区的范围对应于该多个掺杂结构的范围。