[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构及其形成方法，且特别是有关于一种晶体管及其形成方法。

背景技术

近年来，绿能议题备受瞩目，技术的发展也倾向高的转换效率与低的待机功耗。高压工艺已广泛的应用在电源供应器例如切换式电源供应器。切换式电源集成电路需要整合启动电路与脉宽调变(PWM)电路。一般使用在高压装置的启动电路是使用电阻来提供充电电流至充电电容，直到电容上的电压达到脉宽调变电路的启动电压后，启动电路停止作用。然而，启动电路在停止作用后，其电阻仍持续产生功耗，因此无法达到省电效果。在一些技术中，启动电路是使用晶体管来取代电阻。然而，受限于晶体管特性上的限制，在启动电路停止状态下，晶体管在阈值电压大于4V的情况下有高的漏电流(大于100μA)。

发明内容

本发明是有关于一种半导体结构及其形成方法。半导体结构具有改善的夹止特性，关闭程度高且快。半导体结构的形成方法成本低且简单。

根据本发明的一实施例，提出一种半导体结构。半导体结构包括第一掺杂区与半导体区。第一掺杂区具有第一导电型。半导体区位于第一掺杂区中。源极电极与漏极电极被分别电性连接至第一掺杂区位于半导体区的相对侧边上的部分。

根据本发明的一实施例，提出一种半导体结构。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。第一掺杂区包括掺杂埋藏区。掺杂埋藏区具有轻杂质浓度区与重杂质浓度区。轻杂质浓度区邻近在重杂质浓度区之间。轻杂质浓度区与重杂质浓度区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第三掺杂区具有第二导电型。轻杂质浓度区邻近于第二掺杂区与第三掺杂区之间。

根据本发明的一实施例，提出一种半导体结构的形成方法。方法包括以下步骤。于衬底上形成由间隔部分互相分开的掺杂结构。掺杂结构具有第一导电型。衬底具有相反于第一导电型的第二导电型。于掺杂结构上形成第一掺杂阱与第二掺杂阱。第一掺杂阱具有第一导电型。第二掺杂阱具有第二导电型。进行退火步骤，使掺杂结构往间隔部分扩散而互相连接成掺杂埋藏区。掺杂埋藏区具有轻杂质浓度区与重杂质浓度区。轻杂质浓度区的范围对应间隔部分的范围。重杂质浓度区的范围对应掺杂结构的范围。

下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1至图7绘示根据一实施例的半导体结构的工艺。

图8绘示根据一实施例的半导体结构的上视图。

图9绘示根据一实施例的半导体结构的剖面图。

图10绘示根据一实施例的半导体结构的剖面图。

图11绘示根据一实施例的半导体结构的剖面图。

图12绘示根据一实施例的半导体结构的剖面图。

图13绘示一实施例中的装置电路。

图14绘示一实施例中启动电路示意图。

图15绘示一实施例中启动电路示意图。

【主要元件符号说明】

2：衬底

4A、4B：掺杂结构

6：间隔部分

8、108、408、508：第一掺杂阱

10：第二掺杂阱

12、312：掺杂埋藏区

14、314：轻杂质浓度区

16、316：重杂质浓度区

18、118、518：第二掺杂阱

20、220：介电结构

22、222：介电部分

24：第一顶掺杂层

26、226：第二顶掺杂层

28、428：阱区

30、32、34、36、130、132、430、432：重掺杂区

38：场板结构

40：介电层

42：电极层

44、444、544：第一掺杂区

46：第三掺杂区

48：源极电极

50：漏极电极

52、152、452、552：半导体区

54：基极电极

56、456：栅极电极

58：电极

460：电极层

462：介电层

564：第一电压端

566：启动电路

568：电压输出端

570：电容

572：切换式控制器

574：功率开关

576：变压器

AB、CD、EF：线

具体实施方式