[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其具备：

半导体基板；

发光部，具有被第1导电型的第1包覆层和与所述第1导电型不同的第2导电型的第2包覆层夹持的活性层；

反射部，设置于所述半导体基板与所述发光部之间，反射所述活性层发出的光；和

电流分散层，设置于所述发光部的与所述反射部相对的一侧，

所述反射部具有多层包含第1半导体层和与所述第1半导体层不同的第2半导体层的成对层而形成，

当设所述活性层发出的光的峰值波长为λ_p、所述第1半导体层的折射率为n_A、所述第2半导体层的折射率为n_B、所述第1包覆层的折射率为n_In、光从所述第1包覆层向所述第2半导体层的入射角为θ时，所述第1半导体层具有由式(1)确定的厚度T_A1，

所述第2半导体层具有由式(2)确定的厚度T_B1，

所述成对层包含在44～61的θ的值的范围内由所述式(1)和所述式(2)规定的厚度的所述第1半导体层和所述第2半导体层，并且包含由在44～61的θ的值的范围内由所述式(1)规定的厚度的所述第1半导体层和在44～61的θ的值的范围内由所述式(2)规定的厚度的所述第2半导体层构成的成对层。

TA1=λp4nA1-(nInsinθnA)2]]>式(1)

TB1=λp4nB1-(nInsinθnB)2]]>式(2)

2.根据权利要求1所述的发光元件，其进一步具备：

中间层，设置于所述第2包覆层与所述电流分散层之间，

所述中间层是由具有构成所述第2包覆层的半导体的带隙能量与构成所述电流分散层的半导体的带隙能量之间的带隙能量的半导体形成的。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，

所述成对层包含具有λ_p/4n_A的1.5倍以上的厚度T_A1的所述第1半导体层、和具有λ_p/4n_B的1.5倍以上的厚度T_B1的所述第2半导体层。