[发明专利]发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及发光元件。尤其是，本发明涉及使用相对于由发光部发出的光为不透明的半导体基板、在半导体基板与发光部之间具备反射部的发光元件。

背景技术

以往，已知有这样的发光元件，其具备n型GaAs基板、设置于n型GaAs基板上的光反射层、设置于光反射层上的n型Al_0.45Ga_0.55As包覆层、设置于n型Al_0.45Ga_0.55As包覆层上的p型GaAs活性层、设置于p型GaAs层上的p型Al_0.45Ga_0.55As包覆层、和设置于p型Al_0.45Ga_0.55As包覆层上的p型GaAs盖层，光反射层由n型AlAs/n型Al_xGa_1-xAs的层叠结构构成，该层叠结构被形成为使膜厚连续变化的连续变频(chirp)状，并且规定了可得到规定的反射波长宽度和反射率的变厚比例、层叠数和混晶比的关系(例如参照专利文献1。)。

对于专利文献1中记载的发光元件来说，由于光反射层通过光波干涉来反射向基板侧行进的光，因而可提高光输出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-37017号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，对于专利文献1中记载的发光元件来说，虽然可扩展依赖于单独光反射层的反射波长区域，但是，不增加光反射层的膜厚而提高发光元件的发光输出是困难的。此外，除了与活性层的带隙相当的波长区域的光(以下称为“第一放射光”)之外，有时还从专利文献1中记载的发光元件发出与GaAs的带隙相当的波长区域的光、即红外光(以下称为“第二放射光”)。其原因如下：从活性层放射的第一放射光的一部分入射至GaAs基板或由GaAs制成的缓冲层，GaAs基板或缓冲层被第一放射光光激发。即，在使用了GaAs基板或由GaAs制成的缓冲层的发光元件中，有时从被第一放射光光激发的GaAs基板或缓冲层放射第二放射光。当使用了放射第二放射光的发光元件时，一般的半导体光电二极管有时由于从该发光元件放射的第二放射光而发生故障，此外，例如，不适用于扫描仪用途。

因此，本发明的目的在于，提供不大幅增加制造成本，发光输出高、不必要的波长的光的发射少的发光元件。

解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明提供发光元件，其具备：半导体基板；发光部，具有被第1导电型的第1包覆层和与第1导电型不同的第2导电型的第2包覆层夹持的活性层；反射部，设置于半导体基板与发光部之间，反射活性层发出的光；和电流分散层，设置于发光部的与反射部相对的一侧，其中，反射部具有包含多层包含第1半导体层和与第1半导体层不同的第2半导体层的成对层(pair layer)而形成，当设活性层发出的光的峰值波长为λ_p、第1半导体层的折射率为n_A、第2半导体层的折射率为n_B、第1包覆层的折射率为n_In、光从第1包覆层向第2半导体层的入射角为θ时，第1半导体层具有由式(1)确定的厚度T_A1，第2半导体层具有由式(2)确定的厚度T_B1，成对层包含在44～61的θ的值的范围内由式(1)和式(2)规定的厚度的第1半导体层和第2半导体层，并且包含由在44～61的θ的值的范围内由式(1)规定的厚度的第1半导体层和在44～61的θ的值的范围内由式(2)规定的厚度的第2半导体层构成的成对层。

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