[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201110317379.5 | 申请日: | 2011-10-18 |
公开(公告)号: | CN102569125A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 金炳埈 | 申请(专利权)人: | 金炳埈 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,该基板处理装置包括:处理室,形成用于基板处理的处理空间;基板支架,设在上述处理室的内部,用于支撑多个被处理基板以n×m四角形排列放置的托盘,其中,n、m为2以上的自然数,其特征在于,
在上述基板处理装置中,在与多个被处理基板被配置而形成的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点对应的托盘的边角部分,放置包含与上述被处理基板的主要成分相同成分的一个以上的边角伪基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,上述边角伪基板以顶点为基准,以大于一个被处理基板的单边长度的方式放置。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在上述托盘的上表面,形成有插入上述边角伪基板的至少一部分的边角收容槽。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在上述托盘的上表面,在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧,还设置有包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的外廓伪基板。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,在上述托盘的上表面,形成有插入上述外廓伪基板的至少一部分的外廓收容槽。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,上述边角伪基板与相邻的上述外廓伪基板形成一体。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,上述外廓伪基板设置如下:从上侧观察装载被处理基板的上述托盘的装载面时,上述外廓伪基板与位于上述托盘边缘的被处理基板的一部分重叠。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度大于上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,假设上述外廓伪基板的宽度为(WD),上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度为(WD1),上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离为(H)时,则(WD)-(WD1)>(H)+5mm。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还具有盖部,该盖部包括:盖板,形成有沿上下贯通形成的多个开口部,与上述被处理基板保持间隔并覆盖上述被处理基板;支撑部,支撑上述盖板,使其与上述被处理基板保持间隔地进行设置。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,上述支撑部的内表面从上述多个被处理基板中位于最外廓的被处理基板具有规定的间隔,上述各边角伪基板与相邻的边角伪基板保持间隔地设置。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,上述支撑部具有规定的厚度,在与上述边角伪基板对应的部分向外侧凸出形成。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,上述支撑部在朝向上述边角伪基板的表面中与上述边角伪基板对应的部分形成有伪基板收容槽,该伪基板收容槽凹陷地形成,以收容上述边角伪基板。
14.一种基板处理装置,该基板处理装置包括:处理室,形成用于基板处理的处理空间;基板支架,设在上述处理室的内部,用于支撑多个被处理基板以n×m四角形排列放置的托盘,其中,n、m为2以上的自然数,其特征在于,
在上述托盘的上表面,在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧,还设置有包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的外廓伪基板。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置,其特征在于,上述外廓伪基板设置如下:从上侧观察装载被处理基板的上述托盘的装载面时,该外廓伪基板的一部分与位于上述托盘的边缘的被处理基板重叠。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置,其特征在于,上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度大于上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离。
17.根据权利要求15所述的基板处理装置,其特征在于,假设上述外廓伪基板的宽度为(WD),上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度为(WD1),上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离为(H)时,则(WD)-(WD1)>(H)+5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造