[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置，更详细说是涉及一种实施对基板进行蚀刻等基板处理的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

基板处理装置指的是如下的装置：包括形成封闭的处理空间的处理室以及设置于处理室内并用于放置基板的基板支架，向处理空间注入处理气体的同时接入电源，实施对基板的表面进行蚀刻或蒸镀等的基板处理。

通过上述基板处理装置处理的基板有半导体用晶片、LCD面板用玻璃基板、太阳能电池用基板等。

作为上述基板处理装置的一例有实施如下的基板处理的基板处理装置：使用托盘在基板支架上放置多个太阳能电池用基板后，在基板的上侧覆盖形成有多个开口部的盖部件，并在基板的表面形成微细的凹凸，形成凹凸的目的根据元件的特性而不同，特别是为了提高太阳能电池元件的效率，降低基于基板的光的反射率便是其中一个目的。

如上所述地覆盖盖部件，使在基板的表面形成微细凹凸的基板处理装置，其经由如下的工序在基板的表面形成凹凸。

根据现有的一例的基板处理装置，在向处理室内注入气体的同时接入电源时，在处理空间内形成等离子，等离子及气体的一部分将通过盖部件的开口部并对基板的表面进行蚀刻。

此外，通过针对基板的蚀刻中形成的化合物中的一部分在盖部件的底面和基板之间的覆盖空间中悬浮并流动，其余化合物及悬浮的化合物的一部分附着于基板的表面，在针对基板的蚀刻过程中起到掩模的作用，促进基板表面上形成微细凹凸。

在此，现有的基板处理装置的盖部件包括：形成有多个开口部的盖板；支撑部，设置于盖板的边缘，使盖板与基板保持间隔地设置。

此外，在使用盖部件形成微细凹凸的现有的基板处理方法中，在盖部件的中央部分及边缘部分，特别是顶点附近等处，将产生与托盘上的位置对应的化合物的密度差，与位置对应的化合物的密度差对基板表面上形成微细凹凸构成影响，存在有引起基板的色差的问题。

图1是表示通过现有的基板处理装置进行基板处理的硅基板的概念图。

如图1所示，特别是在通过现有技术的基板处理装置实施的基板处理方法中，在以四角形排列放置的多个基板中，在托盘上的边缘，特别是顶点附近，在进行基板处理后的基板表面上产生明显的色差。

此外，基板表面的色差表示反射率的差异，存在有无法充分地实现基于基板的微细凹凸形成的反射率减小效果，导致降低太阳能电池元件的效率的问题。

并且，有色差的基板在视觉上不好看，存在有在市场上被误认为是次品，降低对产品的信赖度，与没有色差的基板比较时，存在以更低的价格流通等的、在市场上很难销售的问题。

发明内容

为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于提供一种基板处理装置及基板处理方法，防止在以四角形排列放置于托盘的多个基板中，位于顶点的基板的表面上发生色差。

本发明的另一目的在于提供一种基板处理装置、在该基板处理装置中使用的托盘及基板处理方法，防止在以四角形排列放置于托盘的多个基板中，位于边缘的基板的表面上发生色差。

本发明是为了达到上述本发明的目的而提出的，本发明公开了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以n×m四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，其特征在于，在上述基板处理装置中，在与多个被处理基板被配置而形成的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点对应的托盘的边角部分，放置包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的边角伪基板。

上述边角伪基板以顶点为基准，以大于一个被处理基板的单边长度的方式放置。

在上述托盘的上表面，形成有插入上述边角伪基板的至少一部分的边角收容槽。

在上述托盘的上表面，在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧，还设置有包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的外廓伪基板。

在上述托盘的上表面，形成有插入上述外廓伪基板的至少一部分的外廓收容槽。

上述边角伪基板与相邻的上述外廓伪基板形成一体。

上述外廓伪基板设置如下：从上侧观察装载被处理基板的上述托盘的装载面时，上述外廓伪基板与位于上述托盘的边缘的被处理基板的一部分重叠。

优选的是，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度大于上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离。