[发明专利]高频半导体装置有效
| 申请号： | 201110317683.X | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102339802A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 川岛庆一;细见刚;平山敏和 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种高频半导体装置，其特征在于，具备：
封装件，其具有空腔；
半导体芯片，其配置在所述空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；
栅极框，配置在所述空腔底面；
漏极框，配置在所述空腔底面；
源极框，配置在所述空腔底面；
栅极金属线，连接所述栅极电极和所述栅极框；
漏极金属线，连接所述漏极电极和所述漏极框；以及
源极金属线，连接所述源极电极和所述源极框，
所述栅极电极，以与所述栅极电极和所述栅极框最接近地配置的情况相比使所述栅极金属线的长度变长的方式，配置在所述半导体芯片上表面内的与所述栅极框不是最接近而与所述栅极框离开的位置上，
所述漏极电极，以与所述漏极电极和所述漏极框最接近地配置的情况相比使所述漏极金属线的长度变长的方式，配置在所述半导体芯片上表面内的与所述漏极框不是最接近而与所述漏极框离开的位置上。
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