[发明专利]高频半导体装置

说明书

本申请是下述申请的分案申请：

发明名称：高频半导体装置

申请日：2009年7月21日

申请号：200910151101.8

技术领域

本发明涉及在封装件(package)内具备半导体芯片的高频半导体装置。

背景技术

为了保护半导体芯片，有时将半导体芯片配置在封装件具备的空腔(cavity)底面上。在所述空腔中配置用于使半导体芯片的与外部的高频电信号的交接成为可能的框(引线框)的一部分。该框的其它部分向封装件外部延伸。而且，半导体芯片以金丝线(gold wire)等与上述的框连接，从而，制造了能够在被封装件遮盖的状态下进行高频电信号的交接的高频半导体装置。作为以上述方式安装的情况较多的半导体芯片的一个例子，能举出HEMT(High electron mobility transistor，高电子迁移率晶体管)。

再有，上述高频半导体装置多为以下的类型，即在封装件中搭载半导体芯片，进行所希望的金属线布线之后，在封装件的上表面安装盖体，将半导体芯片密封起来。

由于通常高频半导体装置的封装件外部形状和外部尺寸被标准化，所以高频半导体装置的形状和尺寸被限制。此外，从制造成本的观点出发，也优选使用上述被标准化了的封装件。因此，封装件具备的空腔的容积也受到该限制而成为固定的容积以下。

进而，从组装容易性的观点出发，半导体芯片配置在封装件的空腔底面的中央部。此外，连接半导体芯片和框的金属线的一端通常连接在框的金属线可连接区域的中央。

专利文献1：日本专利申请公开2003-007727号公报

专利文献2：日本实用新型公开平03-003737号公报

专利文献3：日本专利申请公开昭63-086555号公报

专利文献4：日本专利申请公开平10-070159号公报

专利文献5：日本专利申请公开平04-199543号公报

专利文献6：日本专利申请公开平08-153817号公报

发明要解决的问题

从高频半导体装置的组装容易性以及金属线连接容易性的观点出发，半导体芯片和框的连接中使用的金属线的金属线长度对应于封装件的类型被单义地确定。可是，如后述那样，本申请的发明者发现，在具备栅极、漏极、源极的半导体芯片中，延长栅极金属线和漏极金属线各自的金属线长度对于高频半导体装置的频率特性改善具有效果。而且，由于如上述那样，金属线长度对应于封装件的类型被单义地确定，所以存在不能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度的问题。

此外，为了延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度而使用大型的封装件，存在妨碍按照上述的标准或伴随着制造成本的增大的问题。

发明内容

本发明正是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种高频半导体装置，该装置不使封装件的类型(外部形状和外部尺寸)大型化，就能够延长栅极金属线以及漏极金属线的金属线长度。

本申请的发明的高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。

本申请的发明的高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该栅极电极，以与该栅极电极和该栅极框最接近地配置的情况相比使该栅极金属线的长度变长的方式，配置在该半导体芯片上表面内的与该栅极框不是最接近而与该栅极框离开的位置上，该漏极电极，以与该漏极电极和该漏极框最接近地配置的情况相比使该漏极金属线的长度变长的方式，配置在该半导体芯片上表面内的与该漏极框不是最接近而与该漏极框离开的位置上。