[发明专利]一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机无效
申请号: | 201110317710.3 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN102403252A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 夏洋 | 申请(专利权)人: | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 赵芳;徐关寿 |
地址: | 314006 浙江省嘉兴市南*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辅助 刻蚀 工艺 自动 硅片 装片机 | ||
1. 一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,包括机架,其特征在于:所述机架的操作平台上安装有带空腔的底座,所述底座上连接有可旋转的带空腔的上盖,所述底座内从下往上依次安装有抽气平台、装片PSS盘、硅片定位盘,所述硅片定位盘由固定盘定位固定安装;所述底座上开有腔体第一出口、腔体第二出口、腔体第三出口,所述腔体第一出口与抽气平台连通,所述腔体第二出口和腔体第三出口均设在抽气平台的外侧,所述腔体第一出口、腔体第二出口与对腔体抽真空的真空泵连接,所述真空泵安装在机架底部平台上,所述腔体第三出口与输送氮气进入腔体的装置连接。
2. 根据权利要求1所述的一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,其特征在于:所述腔体第一出口与真空泵之间安装有测量抽气平台内真空度的真空计。
3. 根据权利要求1或2所述的一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,其特征在于:所述腔体第一出口与真空泵的第一接口连接,所述腔体第二出口与真空泵的第二接口连接,所述腔体第一出口与真空泵的第一接口之间、所述腔体第二出口与真空泵的第二接口之间均安装有气压阀门。
4. 根据权利要求3所述的一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,其特征在于:所述气压阀门与腔体第一出口、腔体第二出口、真空泵的第一接口、真空泵的第二接口之间分别通过法兰连接。
5. 根据权利要求4所述的一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,其特征在于:所述底座与上盖通过连接座和连接转轴连接。
6. 根据权利要求5所述的一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,其特征在于:所述底座和上盖内的空腔均是铝腔。
7. 根据权利要求6所述的一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,其特征在于:所述抽气平台通过螺栓固定安装在底座上,并与底座之间安装有气密封圈。
8. 根据权利要求7所述的一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,其特征在于:所述装片PSS盘通过螺钉与硅片定位盘固定连接。
9. 根据权利要求8所述的一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,其特征在于:所述固定盘通过螺栓与垫片环将硅片定位盘、装片PSS盘固定在抽气平台上。
10. 根据权利要求9所述的一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,其特征在于:所述底座与上盖之间、所述腔体第一出口与与其连接的法兰之间、所述腔体第二出口与与其连接的法兰之间、所述腔体第三出口与与其连接的法兰之间、装片PSS盘与硅片定位盘的倒槽之间均安装有密封圈。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造