[发明专利]一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机无效
申请号: | 201110317710.3 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN102403252A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 夏洋 | 申请(专利权)人: | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 赵芳;徐关寿 |
地址: | 314006 浙江省嘉兴市南*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辅助 刻蚀 工艺 自动 硅片 装片机 | ||
技术领域
本发明涉及一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机。
背景技术
目前太阳能电池制造过程中,包含有很多工序,其中包含硅片刻蚀。刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的工艺步骤。在上述工序中硅片需要装到PSS盘中,再放入机械手传输到刻蚀区进行工艺加工。在此工艺中,硅片装盘是处于人工装片状态,硅片又薄又脆,所以该方式容易出现碎片率高,且PSS盘内有18个槽用于放片,要用人工方式又快又准地放片是不可能达到的。
发明内容
本发明要解决现往PSS盘装硅片存在碎片率高、工作效率低、工作质量差的问题,提供了一种碎片率低、工作效率高、工作质量高的辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机。
本发明采用的技术方案是:
一种辅助刻蚀工艺的自动硅片装片机,包括机架,其特征在于:所述机架的操作平台上安装有带空腔的底座,所述底座上连接有可旋转的带空腔的上盖,所述底座内从下往上依次安装有抽气平台、装片PSS盘、硅片定位盘,所述硅片定位盘由固定盘定位固定安装;所述底座上开有腔体第一出口、腔体第二出口、腔体第三出口,所述腔体第一出口与抽气平台连通,所述腔体第二出口和腔体第三出口均设在抽气平台的外侧,所述腔体第一出口、腔体第二出口与对腔体抽真空的真空泵连接,所述真空泵安装在机架底部平台上,所述腔体第三出口与输送氮气进入腔体的装置连接。
进一步,所述腔体第一出口与真空泵之间安装有测量抽气平台内真空度的真空计。
进一步,所述腔体第一出口与真空泵的第一接口连接,所述腔体第二出口与真空泵的第二接口连接,所述腔体第一出口与真空泵的第一接口之间、所述腔体第二出口与真空泵的第二接口之间均安装有气压阀门。
进一步,所述气压阀门与腔体第一出口、腔体第二出口、真空泵的第一接口、真空泵的第二接口之间分别通过法兰连接。
进一步,所述底座与上盖通过连接座和连接转轴连接。
进一步,所述底座和上盖内的空腔均是铝腔。
进一步,所述抽气平台通过螺栓固定安装在底座上,并与底座之间安装有气密封圈。
进一步,所述装片PSS盘通过螺钉与硅片定位盘固定连接。
进一步,所述固定盘通过螺栓与垫片环将硅片定位盘、装片PSS盘固定在抽气平台上。
进一步,所述底座与上盖之间、所述腔体第一出口与与其连接的法兰之间、所述腔体第二出口与与其连接的法兰之间、所述腔体第三出口与与其连接的法兰之间、装片PSS盘与硅片定位盘的倒槽之间均安装有密封圈。
本发明主要应用于硅片刻蚀工艺中的前序工作准备,把硅片刻蚀中的装片步骤解体出来,提高硅片的装片效率,从而形成高效的自动化生产线,本发明一次可装18片的盘,自动化程度高,操作方便,节省劳动力,降低了装片时的破损率,有效提高了刻蚀工艺的工作进程。
本发明的使用过程:
1、打开上盖,把通过螺钉相连的装片PSS盘和硅片定位盘对准安放在抽气平台上,再把装片PSS盘和硅片定位盘通过固定盘用螺栓固定于底座的腔体内,此时把硅片放入硅片定位盘的倒槽中,盖上上盖。
2、腔体第二出口处的气压阀门开启,腔体第二出口与真空泵的第二接口处开始抽真空,达到工作值。
3、工作腔体内的真空度达到要求后,开启腔体第一出口处的气压阀门,腔体第一出口与真空泵的第一接口处开始抽真空,完成硅片通过硅片定位盘定位吸附到装片PSS盘上的动作。
4、此刻可通过腔体第一出口处的真空计来测量真空度,达到工作要求恒定后,关闭腔体第二出口处的气压阀门,开启腔体第三出口处的氮气输入口,充入氮气。
5、当底座与上盖之间的腔体内的气压值等于大气压时,停止输送氮气,打开上盖,卸下固定盘,关闭腔体第一出口处的气压阀门,取出片盘。
本发明的气压阀门与底座腔体间的法兰根据高度不同可以由多个法兰烧结组成。
本发明的有益效果:自动化程度高,操作方便,节省劳动力,降低了装片时的破损率,有效提高了刻蚀工艺的工作进程。
附图说明
图1是本发明的立体结构示意图。
图2是本发明的主体工作腔的剖面结构示意图。
图3是本发明的主体工作腔的放大结构示意图。
图4是本发明的侧面结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造