[发明专利]用于三维集成电路(3DIC)的穿透硅通孔(TSV)的测试结构

权利要求书

1.一种用于在基板上链接穿透硅通孔(TSV)的测试结构，所述测试结构包括：

多个TSV，从所述基板的第一表面延伸到相对于所述第一对面的所述基板的第二表面，其中，所述多个TSV通过互连而链接在一起，以及

多个测试焊盘，其中，所述多个测试焊盘中的至少一个接地到所述基板，并且，其中，剩下的所述多个测试焊盘或者与所述链接的TSV连接，或者接地。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其中，链接所述多个TSV的所述互连包括重分布层中的结构。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其中，多个测试焊盘包括五个测试焊盘，一个测试焊盘接地到所述基板，两个测试焊盘连接到所述链接的TSV的一端，剩下的两个测试焊盘链接到所述链接的TSV的另一端。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其中，配置所述测试结构以实施电性测试，从而确定所述基板上的所述多个TSV的质量和特性。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其中，配置所述测试结构以测试所述链接的TSV的频率、电阻、电容和泄露。

6.根据权利要求1所述的测试结构，其中，所述多个TSV的数量等于或者大于约2。

7.根据权利要求1所述的测试结构，其中，所述多个TSV以菊花链方式链接在一起。

8.根据权利要求3所述的测试结构，包括：多于一个测试区域，并且，其中，每个所述测试区域都有所述的五个测试焊盘。

9.根据权利要求9所述的测试结构，其中，所述基板的所述多个TSV在每个所述测试区域中链接在一起，并且链接在一个所述测试区域中的所述TSV进一步与在另一测试区域内链接的所述TSV相链接，从而能够测试每个测试区域中的TSV以及穿过多个所述测试区域的所述链接的TSV。

10.一种测试三维集成电路(3DIC)的测试结构，所述测试结构包括：

第一基板，具有多个第一穿透硅通孔(TSV)和至少五个测试焊盘，其中，所述多个第一TSV通过互连链接在一起，其中，所述五个测试焊盘中的一个接地到基板，并且，其中，剩下的四个所述测试焊盘中的两个电连接到所述多个第一TSV中的一个，剩下的两个所述测试焊盘电连接到所述多个第一TSV中的另一个；以及

第二基板，其中，所述第二基板通过金属凸块接合到所述第一基板。