[发明专利]一种用于SOI高压集成电路的半导体器件

权利要求书

1.一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，包括半导体衬底层(1)、介质埋层(2)、 顶层硅(3)，其特征在于：所述顶层硅(3)中至少集成了高压LIGBT器件、高压NLDMOS 器件和高压PLDMOS器件；所述介质埋层(2)的厚度不超过5微米，所述顶层硅(3)的厚 度不超过20微米；

所述高压LIGBT器件、高压NLDMOS器件和高压PLDMOS器件底部、介质埋层(2) 表面上方的顶层硅(3)中具有多个不连续的高浓度N⁺区(5)，所述高浓度N⁺区(5)的掺 杂浓度不低于1e16cm^-3；高压LIGBT器件、高压NLDMOS器件和高压PLDMOS器件彼此 之间采用介质隔离区(4)实现隔离。

2.根据权利要求1所述的用于SOI高压集成电路的半导体器件，其特征在于，所述半导 体衬底层(1)为N型半导体衬底或P型半导体衬底。

3.根据权利要求1所述的用于SOI高压集成电路的半导体器件，其特征在于，所述顶层 硅(3)中还集成了低压CMOS器件(56)；所述低压CMOS器件与相邻的高压LIGBT器件、 高压NLDMOS器件或高压PLDMOS器件之间采用介质隔离区(4)实现隔离；所述低压CMOS 器件(56)包括低压NMOS器件和低压PMOS器件，不同的低压CMOS器件之间采用场氧 化层实现隔离。

4.根据权利要求3所述的用于SOI高压集成电路的半导体器件，其特征在于，所述低压 CMOS器件底部、介质埋层(2)表面上方的顶层硅(3)中具有多个不连续的高浓度N⁺区(5)， 所述高浓度N⁺区(5)的掺杂浓度不低于1e16cm^-3。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的用于SOI高压集成电路的半导体器件，其特征在 于，所述高压LIGBT器件包括薄栅氧高压LIGBT器件和厚栅氧高压LIGBT器件；所述高压 NLDMOS器件包括薄栅氧高压NLDMOS器件和厚栅氧高压NLDMOS器件；所述高压 PLDMOS器件包括薄栅氧高压PLDMOS器件和厚栅氧高压PLDMOS器件。

6.根据权利要求1至5中任一所述用于SOI高压集成电路的半导体器件，其特征在于， 所述高浓度N⁺区(5)的掺杂元素为磷、砷、锑或铋。

7.根据权利要求1至5中任一所述用于SOI高压集成电路的半导体器件，其特征在于， 所述高浓度N⁺区(5)的截面形状为矩形或椭圆形。

8.根据权利要求5所述的用于SOI高压集成电路的半导体器件，其特征在于，所述厚栅 氧高压LIGBT器件、厚栅氧高压NLDMOS器件和厚栅氧高压PLDMOS器件的栅氧化层采 用厚度为200～1000纳米的场氧化层实现。