[发明专利]发光二极管晶粒无效
| 申请号： | 201110318277.5 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103066177A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 洪梓健;沈佳辉;彭建忠 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管晶粒，包括基板和形成于基板上的磊晶层，该基板包括上表面，该磊晶层包括靠近基板的第一半导体层、远离基板的第二半导体层、夹设在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层，其特征在于：所述磊晶层远离基板的顶部的边缘为圆弧角或倾斜的倒角。
2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述圆弧角或倾斜的倒角形成在第二半导体层的边缘上。
3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：该磊晶层还包括形成在第二半导体层上的透明导电层，所述圆弧角形成在透明导电层与第二半导体层上。
4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述磊晶层覆盖部分基板的上表面，于基板的边缘形成切割道。
5.如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述切割道的面积占基板面积的5%至25%。
6.如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述切割道上形成有微结构。
7.如权利要求6所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述切割道上的微结构裸露于空气中。
8.如权利要求4所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述基板一端的切割道朝向磊晶层延伸形成电极区。
9.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一半导体层为N型氮化镓半导体层，第二半导体层为P型氮化镓半导体层。
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