[发明专利]发光二极管晶粒无效
| 申请号： | 201110318277.5 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103066177A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 洪梓健;沈佳辉;彭建忠 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 | ||
技术领域
本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管晶粒。
背景技术
现有的发光二极管(Light Emitting Diode, LED)晶粒包括基板、在基板上生长的磊晶层结构以及电极。磊晶层结构通常包括N型半导体层、有源层、P型半导体层，依次自基板向上生长形成。为使得电流均匀分布以提升晶粒的发光效率，业界通常在P型半导体层和电极之间增设透明电极。
然而依次生长于基板上的磊晶层结构远离基板的顶部边缘通常为垂直的尖角，请参阅图1，自有源层3发出的一些光线，如与有源层3之间夹角为γ的光线A射向磊晶层侧面2的入射角α较大，从而易于全反射，不利于磊晶层结构的侧面的出光，进而影响整个发光二极管晶粒的出光效率。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种出光效率高的发光二极管晶粒。
一种发光二极管晶粒，包括基板和形成于基板上的磊晶层，该基板包括上表面，该磊晶层包括靠近基板的第一半导体层、远离基板的第二半导体层、夹设在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层，所述磊晶层远离基板的顶部的边缘为圆弧角或倾斜的倒角。
上述发光二极管晶粒中，将磊晶层的顶部边缘做成圆弧角或倒角，该圆弧角或倒角可减小光线射向磊晶层侧面的入射角，从而减少全反射的几率，利于磊晶层侧面的出光，提高发光二极管晶粒整体的发光效率。
附图说明
图1是现有技术的发光二极管晶粒的光线出射示意图。
图2是本发明一实施方式提供的一种发光二极管晶粒的俯视示意图。
图3是图2中的发光二极管晶粒沿II-II方向的剖视图。
图4是本发明实施方式提供的发光二极管晶粒的光线出射示意图。
主要元件符号说明
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