[发明专利]内存供电电路无效

专利信息
申请号: 201110318410.7 申请日: 2011-10-19
公开(公告)号: CN103064487A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 潘亚军;葛婷 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G06F1/26 分类号: G06F1/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 内存 供电 电路
【权利要求书】:

1.一种内存供电电路,用于供电给内存插槽模组,其中该内存插槽模组包括至少一内存插槽,该内存供电电路包括:

一平台控制中枢,用于侦测该内存插槽模组是否处于空载状态,并输出侦测结果;

一基本输入输出系统,用于根据该侦测结果发送对应的命令至该平台控制中枢,以使得当该侦测结果为该内存插槽模组处于空载状态时,该平台控制中枢的输出端输出第一电平信号,当该侦测结果为至少一内存插槽不处于空载状态时,该平台控制中枢的输出端输出第二电平信号;以及

一电源控制电路,当接收到该第一电平信号时,该电源控制电路控制一电源不输出电压至该内存插槽模组,当接收到该第二电平信号时,该电源控制电路控制该电源输出电压至该内存插槽模组。

2.如权利要求1所述的内存供电电路,其特征在于:该第一电平信号为低电平信号,该第二电平信号为高电平信号。

3.如权利要求1所述的内存供电电路,其特征在于:该电源控制电路包括电源IC芯片、第一和第二场效应管、电感、电容、第一和第二电阻,该电源IC芯片的使能端与该平台控制中枢的输出端相连,该第一和第二场效应管的栅极分别与该电源IC芯片的第一信号端和第二信号端相连,该第一场效应管的漏极连接该电源,该第一场效应管的源极连接该第二场效应管的漏极,该第一场效应管的源极还连接该电源IC芯片的第三信号端,该第一场效应管的源极还与该电源IC芯片相连,以及依次通过该电感、该第一电阻、该电容和该第二电阻接地,该第一电阻与该电容之间的节点与每一内存插槽相连,该第二场效应管的源极接地。

4.如权利要求1所述的内存供电电路,其特征在于:该平台控制中枢的输出端为GPIO接口。

5.如权利要求1所述的内存供电电路,其特征在于:每一内存插槽通过系统管理总线与该平台控制中枢的数据端和时钟端相连。

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