[发明专利]发光器件以及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括发光元件和支承基板，其特征在于，

上述发光元件含有透明结晶基板、半导体层、半导体面电极、绝缘层和纵导体，

上述透明结晶基板的一个面是光出射面，

上述半导体层含有将P型半导体层以及N型半导体层层叠而成的构造，并且上述半导体层被层叠在上述透明结晶基板的与上述光出射面相反侧的另一面，

上述绝缘层覆盖上述半导体层，

上述纵导体含有第1纵导体以及第2纵导体，

上述第1纵导体贯通上述绝缘层，上述第1纵导体的一端与设置在上述P型半导体层以及N型半导体层中的一个上的第1半导体面电极连接，

上述第2纵导体贯通上述绝缘层，上述第2纵导体的一端与设置在上述P型半导体层以及N型半导体层中的另一个上的第2半导体面电极连接，

上述支承基板具有基板部和贯通电极，并被层叠于上述绝缘层，

上述贯通电极包括第1贯通电极以及第2贯通电极，

上述第1贯通电极贯通上述基板部，上述第1贯通电极的一端与上述第1纵导体的另一端连接，

上述第2贯通电极贯通上述基板部，上述第2贯通电极的一端与上述第2纵导体的另一端连接，

上述第1纵导体以及上述第2纵导体的上述另一端比上述绝缘层的表面突出，并在上述支承基板的内部与上述第1贯通电极以及上述第2贯通电极的上述一端连接。

2.一种发光器件，包括发光元件和支承基板，其特征在于，

上述发光元件含有透明结晶基板、半导体层、半导体面电极、绝缘层和纵导体，

上述透明结晶基板的一个面是光出射面，

上述半导体层含有将P型半导体层以及N型半导体层层叠而成的构造，并且上述半导体层被层叠在上述透明结晶基板的与上述光出射面相反侧的另一面，

上述绝缘层覆盖上述半导体层，

上述纵导体含有第1纵导体以及第2纵导体，

上述第1纵导体贯通上述绝缘层，上述第1纵导体的一端与设置在上述P型半导体层以及N型半导体层中的一方上的第1半导体面电极连接，

上述第2纵导体贯通上述绝缘层，上述第2纵导体的一端与设置在上述P型半导体层以及N型半导体层中的另一方上的第2半导体面电极连接，

上述支承基板具有基板部和贯通电极，并被层叠于上述绝缘层，

上述贯通电极包括第1贯通电极以及第2贯通电极，

上述第1贯通电极贯通上述基板部，上述第1贯通电极的一端与上述第1纵导体的另一端连接，

上述第2贯通电极贯通上述基板部，上述第2贯通电极的一端与上述第2纵导体的另一端连接，

上述第1纵导体以及上述第2纵导体的上述另一端从上述绝缘层的表面起后退，并在上述绝缘层的内部与上述第1贯通电极以及上述第2贯通电极的上述一端连接。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

上述P型半导体层以及N型半导体层中位于上述透明结晶基板一侧的一方半导体层，具有与另一方半导体层不重合的部分，

上述第1半导体面电极在上述一方半导体层中，设置在上述不重合的部分的表面上，

上述第2半导体面电极在上述另一方半导体层中，设置在与设置有上述第1半导体面电极的上述表面相同侧的面上。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，

上述P型半导体层以及N型半导体层中位于上述透明结晶基板一侧的一方半导体层，具有与另一方半导体层不重合的部分，

上述第1半导体面电极在上述一方半导体层中，设置在上述不重合的部分的表面上，

上述第2半导体面电极在上述另一方半导体层中，设置在与设置有上述第1半导体面电极的上述表面相同侧的面上。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

上述发光元件是多个。

6.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，

上述发光元件是多个。

7.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，

上述发光元件的每一个通过穿过上述透明结晶基板、上述半导体层以及上述绝缘层的分离槽而被个别化，

上述支承基板在上述发光元件的每一个中被共用。