[发明专利]发光器件以及其制造方法有效
申请号: | 201110318442.7 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN102456827A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 关根重信;关根由莉奈;桑名良治;上林和利 | 申请(专利权)人: | 纳普拉有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/38;H01L27/15 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光器件以及其制造方法。
背景技术
使用了发光二极管的发光器件具有节能、寿命长等优点,作为照明装置、彩色图像显示装置、液晶面板的背光灯或者交通信号灯等的光源而倍受关注。
对于这种发光器件,例如在日本特开2006-114820号公报中公开了一种将透明结晶基板、由P型及N型氮化物半导体构成的一对半导体层、用于向一对半导体层注入电流的半导体面电极、和绝缘基板按顺序层叠而成的发光元件。绝缘基板中形成有纵导体。该纵导体在沿厚度方向贯通绝缘基板而形成的纵孔内,通过镀覆处理或者焊料等导电性膏埋入处理而形成,半导体面电极与形成在绝缘基板的另一面的安装面电极电连接。
由于日本特开2006-114820号公报的发光元件在光出射面的相反侧的绝缘基板的表面具备安装面电极,因此以与表面安装在印制基板的元件同样被处理为前提。
但是,由于这种发光元件通常成为厚度为20μm左右的极薄构造,所以即使如日本特开2006-114820号公报所述那样,将发光元件与表面安装在印制基板的其他元件同样处理,也难以进行操作(handling)。例如,当在表面安装作业中操作失败、发光元件破损时,照明装置等的可靠性会降低。
另外,在如日本特开2006-114820号公报所述那样通过镀覆处理形成纵导体的情况下,由于镀覆处理必然需要一定的时间,所以制造效率极其差。
另一方面,在通过焊料等导电性膏埋入处理来形成纵导体的情况下,埋入于纵孔内的导电性膏在凝固时必然收缩,会在纵导体中产生缩孔。这样的缩孔成为电阻增大、高频特性劣化以及可靠性降低等的原因。
发明内容
本发明的课题在于,提供可靠性高的面发光的发光器件以及发光器件的制造方法。
本发明的另一个课题在于,提供容易制造的发光器件以及发光器件的制造方法。
为了解决上述课题,本发明涉及的发光器件包括发光元件、和支承基板。上述发光元件包括透明结晶基板、半导体层、半导体面电极、绝缘层和纵导体,上述透明结晶基板的一面是光出射面,上述半导体层包含将P型半导体层以及N型半导体层层叠而成的构造,该上述半导体层被层叠在上述透明结晶基板的与上述光出射面相反侧的另一面。上述P型半导体层以及N型半导体层中位于上述透明结晶基板一侧的一方半导体层,具有不与另一方半导体层重合的部分。
上述半导体面电极具有第1半导体面电极和第2半导体面电极,上述第1半导体面电极在上述一方半导体层中设置在上述不重合的部分的表面上,上述第2半导体面电极在上述另一方半导体层中,设置在与设置有上述第1半导体面电极的上述表面相同侧的面上。上述绝缘层覆盖上述半导体层。
上述纵导体由含有因凝固而膨胀的金属成分的膨胀金属体构成,包括第1纵导体以及第2纵导体。上述第1纵导体贯通上述绝缘层而与上述第1半导体面电极连接,上述第2纵导体贯通上述绝缘层而与上述第2半导体面电极连接。
上述支承基板具有基板部和贯通电极,层叠于上述绝缘层。上述贯通电极由含有因凝固而膨胀的金属成分的膨胀金属体构成,包括第1贯通电极以及第2贯通电极。上述第1贯通电极贯通上述基板部而与上述第1纵导体连接,上述第2贯通电极贯通上述基板部而与上述第2纵导体连接。
如上所述,本发明涉及的发光器件包括发光元件和支承基板,支承基板与发光元件层叠。根据该构造,通过支承基板来弥补极薄构造的发光元件,因此制造步骤中的操作性显著提高,生产率、制造效率提高。
并且,可以通过不同的工序预先制造发光元件和支承基板,并利用将支承基板粘贴到发光元件的绝缘层等手段使两者一体化,或者,也可以采用在将支承基板粘贴于发光元件的状态下,一次性执行纵导体以及贯通电极用的埋入工序等手段。因此,可以通过适合于生产、制造设备等的最佳制造方法,来高效地进行制造。
另外,由于支承基板作为内插器发挥功能,所以能够使用支承基板来实现针对发光元件的合理的供电电路。
并且,通过活用支承基板,能够减少发光元件中的绝缘层的厚度,使针对绝缘层的穿孔工序以及其后的纵导体形成工序变得容易。
发光元件包括透明结晶基板和半导体层,透明结晶基板的一个面是光出射面,半导体层层叠在透明结晶基板的与光出射面相反侧的另一面。该构造成为用于实现半导体层用的电极无论是P侧电极还是N侧电极,都不出现在光出射面的构造的基础。
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