[发明专利]一种Cu2O多孔微米/纳米立方体的半导体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110318546.8 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102503547A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 石慧;郁可;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cu sub 多孔 微米 纳米 立方体 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种Cu2O多孔微米/纳米立方体的半导体材料，其特征在于，包括硅片衬底和沉积在所述硅片衬底表面的微米/纳米立方体结构Cu2O晶体。
2.根据权利要求1所述Cu2O多孔微米/纳米立方体的半导体材料，其特征在于，所述的微米/纳米立方体结构Cu2O晶体包括立方体结构和生长在所述立方体结构表面的纳米级分支；其中，所述纳米级分支沿着<110>方向且垂直于所述立方体结构的边界生长。
3.根据权利要求1所述Cu2O多孔微米/纳米立方体的半导体材料，其特征在于，所述立方体结构的边界长为3-5μm，所述纳米级分支的长度为10nm-1μm。
4.一种如权利要求1-3中任意一项权利要求所述Cu2O多孔微米/纳米立方体的半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：
步骤a、将无水乙醇和水混合作为溶剂，加入Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯，搅拌均匀得到待反应液；
步骤b、将硅片水平放置在反应釜底部，缓缓加入所述待反应液；
步骤c、将所述反应釜密封，于160-190℃下反应2.5-3小时；
步骤d、取出硅片，于60-70℃下烘干，得到所述Cu2O多孔微米/纳米立方体的半导体材料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a中无水乙醇和水的比例为1：2-2：7，所述Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯的加入量摩尔比为1：3-1：4；其中，Cu(CH3COO)2·H2O粉末的加入量为25±2.5mM/100mL溶剂。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯均为分析纯。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述反应釜为100mL容量的特氟龙反应釜。
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