[发明专利]一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201110319761.X | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102502787A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 钟伟;杨再兴;都有为 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一步 可控 合成 多种 形貌 zn cd 半导体 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
1.ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法，其特征是在具有温度梯度的管式炉中，以配备有抽真空装置的石英管为反应器，将CdS(或ZnS)原料放置于反应器中部，反应温度800-900℃；将ZnCl2(或CdCl2)原料放置于反应器进气口一端，反应温度300-700℃；表面镀金的Si(100)片放置于出气口一端作为样品生长的衬底，反应温度400-650℃；在不需要任何模板、不需要分步合成出单一硫化物的情况下，通过调节原料种类、反应温度、衬底温度和氩气流速，一步就可以选择性地合成出具有不同形貌的ZnxCd1-xS纳米复合材料。在ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备工艺中，硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1，氩气吹扫时间0.5-3小时，氩气流速15-60毫升/分钟)，真空度5×10-3-5×10-4帕，反应时间1-5小时。
2.根据权利要求1所述的ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法，其特征在于形貌各异的ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备工艺由以下几个步骤来实现：具有温度梯度的管式炉中，以配备有抽真空装置的石英管为反应器，以硫化物和氯化物为原料，在不需要任何模板、不需要分步合成出单一硫化物的情况下，通过调节原料种类、反应温度、衬底温度和氩气流速，一步就可以选择性地合成出纳米剑状物、超长纳米线、立方纳米柱、纳米带、带分支结构的纳米棒、纳米梳子等多种形貌的ZnxCd1-xS纳米复合材料。
3.根据权利要求1或2所述的ZnxCd1-xS纳米复合材料的制备方法，其特征是管式炉中心温度800-900℃，升温速率400-600℃/小时，保温时间为1-5小时。
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