[发明专利]堆叠式半导体封装件及其制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种堆叠式半导体封装件，所述堆叠式半导体封装件包括：

第一半导体封装件，包括第一封装基底和安装在所述第一封装基底上的第一半导体芯片，所述第一封装基底具有构成其外周边区域的侧面的第一侧和第二侧，其中，所述第一侧比所述第二侧长；

第二半导体封装件，包括第二封装基底和安装在所述第二封装基底上的第二半导体芯片；以及

多个连接件，将所述第一半导体封装件和所述第二半导体封装件电连接，所述多个连接件沿所述第一封装基底的包括所述第一侧和所述第二侧的外周边区域设置在所述第一半导体芯片的外侧，其中，第一组连接件沿着所述第一封装基底的较长的第一侧设置为沿所述较长的第一侧彼此隔开，并且所述第一组连接件的高度从所述较长的第一侧的中心区域到外区域改变。

2.根据权利要求1所述的堆叠式半导体封装件，其中，第二组连接件沿着所述第一封装基底的所述第二侧设置为沿较短的第二侧彼此隔开，并且所述第二组连接件的高度基本上相同。

3.根据权利要求1所述的堆叠式半导体封装件，其中，所述第一半导体封装件还包括多个第一电极焊盘，所述多个第一电极焊盘设置在所述第一封装基底的顶表面上，并分别电连接到连接件，以及

所述第二半导体封装件还包括多个第二电极焊盘，所述多个第二电极焊盘设置在所述第二封装基底的底表面上，并分别电连接到连接件。

4.根据权利要求3所述的堆叠式半导体封装件，其中，所述第一组连接件的高度从所述较长的第一侧的中心区域到外区域减小。

5.根据权利要求4所述的堆叠式半导体封装件，其中，所述第二封装基底具有构成其外周边区域的侧面的第一侧和第二侧，所述第二封装基底的所述第一侧比所述第二封装基底的所述第二侧长，所述第一封装基底的所述第一侧和所述第二侧分别与所述第二封装基底的所述第一侧和所述第二侧设置在所述堆叠式半导体封装件的相同侧处，

第一电极焊盘包括沿所述第一封装基底的较长的第一侧设置的第一组电极焊盘，

第二电极焊盘包括沿所述第二封装基底的较长的第一侧设置的第一组电极焊盘，以及

第一组电极焊盘中的至少一组电极焊盘中的暴露于连接件的电极焊盘的区域的尺寸从所述第一封装基底和所述第二封装基底的较长的第一侧的中心区域到外区域改变。

6.根据权利要求5所述的堆叠式半导体封装件，其中，第一电极焊盘包括沿所述第一封装基底的所述第二侧设置的第二组电极焊盘，

第二电极焊盘包括沿所述第二封装基底的所述第二侧设置的第二组电极焊盘，以及

第二组电极焊盘中的至少一组电极焊盘中的暴露于连接件的电极焊盘的区域的尺寸基本上相同。

7.根据权利要求5所述的堆叠式半导体封装件，其中，所述第一半导体封装件还包括第一保护层，所述第一保护层设置在所述第一封装基底的顶表面上，并且仅暴露每个第一电极焊盘的顶表面的中心区域，

所述第二半导体封装件还包括第二保护层，所述第二保护层设置在所述第二封装基底的底表面上，并且仅暴露每个第二电极焊盘的顶表面的中心区域，以及

电极焊盘的顶表面的中心区域分别是暴露于连接件的电极焊盘的区域。

8.根据权利要求5所述的堆叠式半导体封装件，其中，所述第一半导体封装件还包括第一保护层，所述第一保护层设置在所述第一封装基底的顶表面上，并完全地暴露每个第一电极焊盘的顶表面，

所述第二半导体封装件还包括第二保护层，所述第二保护层设置在所述第二封装基底的底表面上，并完全地暴露每个第二电极焊盘的顶表面，以及

第一电极焊盘的顶表面是第一电极焊盘的暴露于连接件的区域，第二电极焊盘的顶表面是第二电极焊盘的暴露于连接件的区域。

9.根据权利要求4所述的堆叠式半导体封装件，其中，第一组连接件中的连接件的体积从所述较长的第一侧的中心区域到外区域减小。

10.根据权利要求9所述的堆叠式半导体封装件，其中，第二组连接件沿所述第一封装基底的所述第二侧设置为沿所述第二侧彼此隔开，并且第二组连接件的体积基本上相同。