[发明专利]堆叠式半导体封装件及其制造方法和半导体器件

说明书

本申请要求于2010年10月14日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0100327号韩国专利申请的权益，该申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件。更具体地说，本发明构思涉及堆叠类型的半导体封装件，并涉及制造堆叠类型的半导体封装件的方法。

背景技术

现在许多电子装置越小和越紧凑并且功能越多，它们趋于越加普遍。因此，越来越多地需求更小的、更薄的且更轻的半导体封装件，并且需求在给定量的空间内具有更高的容量(例如，数据存储容量)的半导体芯片。然而，关于半导体芯片在特定量的空间内可具有多少容量受到了限制。因此，正在积极地开发包括堆叠的半导体芯片或堆叠的半导体芯片封装件(例如，层叠封装件或POP)的堆叠式半导体封装件。

发明内容

根据本发明构思的一方面，提供了一种堆叠式半导体封装件，所述堆叠式半导体封装件包括第一半导体封装件、第二半导体封装件以及将第一半导体封装件和第二半导体封装件电连接的多个连接件，至少一些连接件具有不同的高度。所述第一半导体封装件包括第一封装基底和安装在所述第一封装基底上的第一半导体芯片。所述第一封装基底具有构成其外周边区域的侧面的第一侧和第二侧，其中，所述第一侧比所述第二侧长。所述第二半导体封装件包括第二封装基底和安装在所述第二封装基底上的第二半导体芯片。连接件沿所述第一封装基底的包括所述第一侧和所述第二侧的外周边区域设置在所述第一半导体芯片的外侧。第一组连接件沿着所述第一封装基底的较长的第一侧设置为沿所述较长的第一侧彼此隔开，并且这些连接件的高度从所述较长的第一侧的中心区域到外区域改变。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括母板、设置在所述母板上的多个外部接触电极、第一半导体封装件、第二半导体封装件以及将所述第一半导体封装件和所述第二半导体封装件电连接的连接件，至少一些连接件具有不同的高度。所述第一半导体封装件包括第一封装基底和安装在所述第一封装基底上的第一半导体芯片。所述第一封装基底具有构成其外周边区域的侧面的第一侧和第二侧，其中，所述第一侧比所述第二侧长。所述第二半导体封装件包括第二封装基底和安装在所述第二封装基底上的第二半导体芯片。连接件沿所述第一封装基底的包括所述第一侧和所述第二侧的外周边区域设置在所述第一半导体芯片的外侧。第一组连接件沿着所述第一封装基底的较长的第一侧设置为沿所述较长的第一侧彼此隔开，并且这些连接件的高度从所述较长的第一侧的中心区域到外区域改变。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造堆叠式半导体封装件的方法，所述方法包括：提供包括第一封装基底和安装在所述第一封装基底上的第一半导体芯片的第一半导体封装件；提供包括第二封装基底和安装在所述第二封装基底上的第二半导体芯片的第二半导体封装件；在所述第一封装基底的顶表面的在半导体芯片外侧的外区域和所述第二封装基底的与所述外区域对应的区域之间形成多个连接部，其中，在连接部中，沿所述第一封装基底的较长侧设置的连接部的高度从所述较长侧的中心区域到外区域逐渐地改变；对连接部进行热处理，以将所述第二半导体封装件堆叠在所述第一半导体封装件上。

一种制造堆叠式半导体封装件的方法，所述方法包括：提供包括第一封装基底和安装在所述第一封装基底上的第一半导体芯片的第一半导体封装件；提供包括第二封装基底和安装在所述第二封装基底上的第二半导体芯片的第二半导体封装件；形成所述第一半导体封装件和所述第二半导体封装件并列放置的堆叠件，其中，所述第一封装基底的顶表面面对所述第二封装基底的底表面，并且在所述堆叠件中在所述第一封装基底的顶表面的在半导体芯片外侧的外区域和所述第二封装基底的底表面的与所述外区域对准的区域之间提供多个连接件，至少一些连接件具有不同的高度；随后对连接件进行热处理，以将所述第二半导体封装件固定到所述第一半导体封装件。具体地说，沿所述第一封装基底的所述较长的第一侧将第一组连接件提供为沿所述较长的第一侧彼此隔开，所述第一组连接件由从所述第一封装基底的较长的第一侧的中心区域到外区域改变的不同的高度形成。

根据本发明的另一方面，提供了一种存储卡，所述存储卡包括：存储器，包括前面所述的堆叠式半导体封装件；控制器，操作地连接到所述存储器，从而将电信号发射到所述存储器和从所述存储器接收电信号。

根据本发明的另一方面，提供了一种电子系统，所述电子系统包括：存储器，包括前面所述的堆叠式半导体封装件；总线；处理器，通过所述总线与所述存储器通信。

附图说明