[发明专利]半导体存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

存储块，所述存储块包括存储串，所述存储串具有耦接在源极线与位线之间的沟道层；

操作电路组，所述操作电路组被配置成通过将源极线的电压提高至热空穴供应电压并将源极线的电压维持在热空穴供应电压而向所述沟道层供应热空穴，并对所述存储串的存储器单元执行擦除操作；

擦除操作判定电路，所述擦除操作判定电路被配置成在源极线的电压被维持在热空穴供应电压时基于位线的电压来判定热空穴是否充分地注入到所述沟道层中并基于判定的结果产生块擦除使能信号；以及

控制电路，所述控制电路被配置成响应于所述块擦除使能信号来控制所述操作电路组开始执行所述擦除操作的时间点，

其中，操作电路组被配置成在源极线的电压被维持在热空穴供应电压时在第一时间间隔期间将连接至存储串的多个字线和位线浮置，

位线的电压在第一时间间隔期间通过注入至沟道层中的空穴而增加，以及

操作电路组被配置成在第一时间间隔之后通过将接地电压施加至所述多个字线并将源极线的电压维持在擦除电压来开始对存储串的存储器单元执行擦除操作。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述擦除操作判定电路被配置成通过感测所述位线的电压来确定供应至所述沟道层的热空穴的数量，感测到的电压指示注入到所述沟道层中的热空穴的数量。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述擦除操作判定电路被配置成当目标数量的热空穴被供应至所述沟道层时输出所述块擦除使能信号。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述擦除操作判定电路被配置成通过感测所述位线的电压来确定供应至所述沟道层的热空穴的数量，所述位线的电压根据注入到沟道层中的热空穴的数量而变化。

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储块包括多个存储串，

所述擦除操作判定电路被配置成当目标数量的热空穴供应至所述多个存储串之中按顺序的第一存储串、位于所述存储串中间部分的第二存储串、以及最后一个存储串的沟道层中的每个时，输出所述块擦除使能信号。

6.如权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述擦除操作判定电路被配置成通过感测连接至第一存储串、第二存储串和最后一个存储串的位线中的相应一个的电压来确定供应至沟道层中每个的热空穴的数量，感测到的电压根据注入到所述沟道层中的热空穴的数量而变化。

7.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述擦除操作判定电路包括：

参考电压发生电路，所述参考电压发生电路被配置成产生参考电压；

热空穴检测电路，所述热空穴检测电路被配置成通过将所述参考电压与根据供应至所述沟道层的热空穴的数量而变化的、所述位线的电压进行比较，来检测被供应至所述沟道层的热空穴的数量，并用于根据检测结果产生串擦除使能信号；以及

块擦除判定电路，所述块擦除判定电路被配置成响应于所述串擦除使能信号来产生所述块擦除使能信号。

8.如权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述擦除操作判定电路包括：

参考电压发生电路，所述参考电压发生电路被配置成产生参考电压；

热空穴检测电路，所述热空穴检测电路被配置成

将所述参考电压与连接至所述存储串之中按顺序的所述第一存储串、第二存储串和最后一个存储串的位线的电压中的每个进行比较，其中，所述第一存储串、第二存储串以及所述最后一个存储串的位线的电压中的每个根据供应至所述沟道层中的相应一个沟道层的热空穴的数量而变化，以及

如果比较的结果是，判定出目标数量的热空穴已供应至第一存储串、第二存储串和最后一个存储串的沟道层中的每个，则产生第一至第三串擦除使能信号；以及块擦除判定电路，所述块擦除判定电路被配置成响应于所述第一至第三串擦除使能信号来产生所述块擦除使能信号。

9.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述操作电路组被配置成将用于产生热空穴的电压供应至所述源极线，使得在所述多个字线为浮置的状态下热空穴被供应至所述沟道层。

10.如权利要求9所述的半导体存储装置，其中，响应于通过所述擦除操作判定电路作出的对目标数量的热空穴已供应至沟道层的判定，所述操作电路组被配置成继续将擦除电压供应至所述源极线，随后将接地电压供应至所述多个字线。