[发明专利]存储器的制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有氧化层、浮栅层、ONO层、控制栅层、罩氧化层和底部抗反射涂层，所述浮栅层中具有隔离凹槽；

在所述底部抗反射涂层上形成图案化的光刻胶，所述图案化的光刻胶遮蔽待形成浮栅和控制栅的位置；

进行第一次刻蚀，刻蚀所述底部抗反射涂层、罩氧化层和部分控制栅层；

进行第二次刻蚀，刻蚀所述控制栅层，以形成控制栅，所述隔离凹槽中保留部分厚度的控制栅层；

进行第三次刻蚀，刻蚀所述ONO层、及所述隔离凹槽中保留部分厚度的控制栅层；

进行第四次刻蚀，刻蚀所述浮栅层以及剩余的控制栅层和ONO层，以形成浮栅；

去除所述图案化的光刻胶、底部抗反射涂层以及罩氧化层。

2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第一次刻蚀中，刻蚀气体为CF₄，所述CF₄的气体流量为80～120sccm，离子产生的RF能量范围为200～300W，离子控制电压为-190V～-180V，刻蚀环境压力为5～10mTorr。

3.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第二次刻蚀中，刻蚀气体为Cl₂、He、O₂和HBr，所述Cl₂、He、O₂和HBr的气体流量分别为40～60sccm、1.5～3.5sccm、0.5～1.5sccm和120～170sccm，离子产生的RF能量200～300W，离子控制电压为-195～-185V，刻蚀的环境压力15～25mTorr。

4.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第三次刻蚀中，刻蚀气体为He和CF₄，所述He和CF₄的气体流量分别为150～250sccm和50～150sccm，离子产生的RF能量为400～500W，离子控制电压为-195～-185V，刻蚀环境压力为8～12mTorr。

5.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第四次刻蚀中，刻蚀气体为Cl₂、He、O₂和HBr，所述CL₂、He、O₂和HBr的气体流量分别为10～20sccm、3.5～12sccm，1.5～4sccm和140～180sccm，离子产生的RF能量为200～300W，离子控制电压为-140～-160V，刻蚀环境压力为20mTorr。

6.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第二次刻蚀之后，所述隔离凹槽中保留的控制栅层的厚度为700～900埃。

7.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第三次刻蚀之后，所述隔离凹槽中保留的控制栅层的厚度为200～300埃。

8.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第一次刻蚀之前，所述氧化层的厚度为90～100埃，所述浮栅层的厚度为1100～1300埃，所述隔离凹槽的厚度1100～1300埃，所述ONO层的厚度为150～200埃，位于所述隔离凹槽外的控制栅层的厚度为1500～2000埃。

9.如权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第一次刻蚀之后，剩余的控制栅层在所述隔离凹槽外的厚度为800～1200埃。

10.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第二次刻蚀之后，所述隔离凹槽中剩余的控制栅层的厚度为700～900埃。

11.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述第三次刻蚀之后，所述隔离凹槽中剩余的控制栅层与ONO层的厚度共为200～300埃。