[发明专利]阵列基板及使用该阵列基板的显示设备

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征是，所述阵列基板包括基板、多条扫描线以及多条数据线，所述多条扫描线沿第一方向配置于所述基板上；

所述多条数据线沿第二方向配置于所述基板上并与所述多条扫描线绝缘相交以定义出多个像素结构，其中所述第一方向垂直于所述第二方向，且每一所述像素结构包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及像素电极；

所述第一薄膜晶体管配置于所述基板上，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极以及第一漏极，所述第一栅极连接至所述扫描线，所述第一源极配置于所述第一栅极上方，并与所述第一栅极部分重叠，所述第一源极的一端连接至所述数据线，所述第一漏极配置于所述第一栅极上方，所述第一漏极具有至少一个第一凹槽，且部分所述第一源极位于所述至少一个第一凹槽内；

所述第二薄膜晶体管配置于所述基板上，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、以及第二漏极，所述第二栅极连接至所述扫描线，

所述第二源极配置于所述第二栅极上方，并连接所述第一漏极，所述第二源极具有至少一个第二凹槽；所述第二漏极配置于所述第二栅极上方，并与所述第二栅极部分重叠，而部分所述第二漏极位于所述至少一个第二凹槽内；

所述像素电极连接至所述第二漏极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征是：所述第一栅极与所述第二栅极之间存有间隙。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征是：所述第一栅极与所述第二栅极彼此相连。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征是：所述至少一个第一凹槽的槽口与所述至少一个第二凹槽的槽口朝向相反方向。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征是：所述第一漏极包括第一连接段以及从所述第一连接段延伸而出的多个第一延伸段，所述多个第一延伸段彼此相对，所述至少一个第一凹槽位于所述多个第一延伸段与所述第一连接段之间，所述第二源极包括与所述第一连接段相连的第二连接段以及从所述第二连接段延伸而出的多个第二延伸段，所述多个第二延伸段彼此相对，所述至少一个第二凹槽位于所述多个第二延伸段与所述第二连接段之间。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征是：所述至少一个第一凹槽与所述至少一个第二凹槽的数量分别为一个，且所述第一漏极与所述第二源极连接成H型电极。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征是：所述第一源极与所述第二漏极分别为条状电极。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征是：所述至少一个第一凹槽的数量为多个，而所述第一源极包括多个条状电极。

9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征是：所述至少一个第二凹槽的数量为多个，而所述第二漏极包括多个条状电极。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征是：所述阵列基板还包括第一绝缘层以及第二绝缘层，所述第一绝缘层配置于所述基板上，并覆盖所述扫描线、所述第一栅极与所述第二栅极，所述第二绝缘层覆盖所述数据线、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极以及所述第二漏极，所述第一薄膜晶体管还包括第一半导体图案，所述第一半导体图案配置于所述第一绝缘层上，并与所述第一栅极部分重叠，所述第一源极与所述第一漏极覆盖部分所述第一半导体图案，所述第二薄膜晶体管还包括第二半导体图案，所述第二半导体图案配置于所述第一绝缘层上，并与所述第二栅极部分重叠，所述第二源极与所述第二漏极覆盖部分所述第二半导体图案。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征是：所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间存有间隙。

12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征是：所述第一半导体图案与所述第二半导体图案彼此相连。

13.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征是：所述像素电极配置于所述第二绝缘层上，并通过所述第二绝缘层中的开口而连接至所述第二漏极。

14.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征是：部分所述第一半导体图案延伸至所述第一栅极外而未与所述第一栅极重叠，部分所述第二半导体图案延伸至所述第二栅极外而未与所述第二栅极重叠。

15.一种显示设备，其特征是，所述显示设备包括

如权利要求第1至14项的任一项所述的阵列基板、对向基板以及显示层，

所述对向基板与所述阵列基板相对；

所述显示层配置于所述阵列基板与所述对向基板之间。