[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

绝缘层，具有顶面及底面；

多条线路及连接垫，形成于该绝缘层中且凸出该绝缘层顶面，其中，该多个连接垫还外露出该绝缘层底面；

多个凸块，其形成于该多条线路上；

半导体芯片，其设置于该凸块上；以及

封装胶体，其形成于该绝缘层上，以包覆该半导体芯片、凸块、多条线路及连接垫。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括金属镀层，其形成于该多条线路上，且该凸块形成于该金属镀层表面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体芯片上形成有对应该凸块的金属柱，且该凸块包覆该金属柱。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括形成于外露出该绝缘层底面的连接垫上的焊球。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该多条线路及连接垫的材质皆为镍/铜。

6.一种半导体封装件的制法，包括：

提供一表面上形成有金属层的基板，该金属层具有图案化凹槽；

于该图案化凹槽中形成多条线路及连接垫，且该多条线路及连接垫的厚度大于该图案化凹槽的深度；

于该金属层底面形成包覆该多条线路及连接垫的绝缘层，并外露出该多个连接垫的底面；

移除部份的该基板及金属层，以令该多条线路及连接垫外露并凸出该绝缘层；

借由凸块于该多条线路上接置半导体芯片；以及

于该绝缘层上形成包覆该半导体芯片、凸块、多条线路及连接垫的封装胶体。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该图案化凹槽的形成包括：

于一表面上形成有金属膜的基板上形成第一阻层，且该第一阻层具有第一开口，以外露部分金属膜；

于该第一开口中形成金属材料；以及

移除该第一阻层，以由该金属材料和金属膜构成图案化凹槽。

8.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该多条线路及连接垫的形成包括：

于该金属层上形成第二阻层，且该第二阻层具有对应外露出该图案化凹槽的第二开口；

于该图案化凹槽及第二开口中，形成第一图案化金属层；

于该第二阻层及第一图案化金属层上形成第三阻层，且该第三阻层具有外露部分第一图案化金属层的第三开口；

于该第三开口中，形成第二图案化金属层；以及

移除该第二阻层和第三阻层，以令该第二图案化金属层和第一图案化金属层连接的部份构成连接垫，其余该第一图案化金属层构成该线路。

9.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于接置该半导体芯片之前，于该多条线路上，形成金属镀层，以将该凸块设于该金属镀层上以接置该半导体芯片。

10.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该半导体芯片上形成有对应该凸块的金属柱，以于接置该半导体芯片后，令该凸块包覆该金属柱。

11.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于外露出该绝缘层底面的连接垫上形成焊球。