[发明专利]发光二极管晶粒无效
| 申请号： | 201110329510.X | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103078051A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张秀萍 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;晶鼎能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半导体层、有源层及第二半导体层，其特征在于：所述基板采用透明氧化铟锡材料，该基板中分布有纳米氢化碳化硅颗粒。
2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述纳米氢化碳化硅颗粒的粒径为20至200纳米。
3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第二半导体层上还形成有电极，该电极内分布有纳米氢化碳化硅颗粒。
4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一半导体层内分布有第二纳米颗粒。
5.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第二半导体层内分布有第二纳米颗粒。
6.如权利要求4或5所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第二纳米颗粒的材料为硅氧化物、硅氮化物、铝氧化物、镓氧化物或硼氮化物。
7.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一半导体层为N型半导体层，第二半导体层为P型半导体层。
8.如权利要求7所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述N型半导体层的材料为N型氮化镓、N型磷化铟、N型磷化铟镓或N型磷化铝镓铟。
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