[发明专利]发光二极管晶粒

说明书

技术领域

本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管晶粒。

背景技术

现有的发光二极管(Light Emitting Diode, LED)晶粒包括基板、在基板上生长的N型半导体层、有源层、P型半导体层以及电极，有源层形成于N型半导体和P型半导体之间。发光二极管通电后，来自N型半导体的电子和来自P型半导体的空穴发生复合，产生的能量一部分以光的形式发出，一部分以热的形式发出。

然而发光二极管产生的热量如不及时消散，将会对有源层的发光特性产生不利的影响。通常采用的蓝宝石或氮化镓基板的导热率不佳，因此热量会长时间聚集在发光二极管晶粒内部而难于散发出去，不但使晶粒的发光效率降低，而且进一步影响发光二极管晶粒的电学特性，从而加剧热量的产生和累积，形成恶性循环，最终导致发光二极管的寿命缩短。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种散热效果良好的发光二极管晶粒。

一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成于基板上的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述基板采用透明氧化铟锡材料，该基板中分布有纳米氢化碳化硅颗粒。

本发明采用透明氧化铟锡作为基板的材料，并于基板内分布具有良好热传导率的纳米氢化碳化硅颗粒，使发光二极管晶粒内部产生的热量较易于向外散发，提高散热效率。此外，基板还可以作为电极使用，因为基板的主要材质氧化铟锡及其内部的纳米氢化碳化硅颗粒均为透明的且具有良好的导电性，所以该基板不但能够提高发光二极管晶粒的电流分布均匀度，还能够提高出光效率。

附图说明

图1是本发明一实施方式提供的一种发光二极管晶粒的剖视示意图。

主要元件符号说明

发光二极管晶粒10基板11纳米氢化碳化硅颗粒111第一半导体层12第二纳米颗粒121、151有源层13第二半导体层14电极15

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参阅图1，本发明实施方式提供的发光二极管晶粒10包括基板11、第一半导体层12、有源层13、第二半导体层14及电极15。

所述基板11为板体结构，该基板11采用透明氧化铟锡（ITO）材料制成，且于透明氧化铟锡中均匀分布有纳米氢化碳化硅（SiC）颗粒111。该纳米氢化碳化硅颗粒111的粒径可为20至200纳米。纳米氢化碳化硅为一种热传导率较高的透明材料，其分布在基板11中能够加快有源层13产生的热量途径基板11向外界环境传导的速度，改善热量聚集于晶粒内部而影响发光二极管晶粒10的光学和电学特性的状况，从而使得该发光二极管晶粒10保持较高的量子效率。同时，纳米氢化碳化硅也具有较好的导电率，有利于基板11内部电流的分布及传导。此外，由于基板11整体采用透明氧化铟锡材料，而基板11内分布的纳米级的氢化碳化硅颗粒也为透明的，因此光线能够很容易的自有源层13向下通过基板11和纳米氢化碳化硅颗粒111的折射而出射到发光二极管晶粒10的外部。