[发明专利]制作图案化氧化物导电层的方法及蚀刻机台有效
申请号: | 201110330194.8 | 申请日: | 2011-10-24 |
公开(公告)号: | CN102509695A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 刘光泽;陈庆育;游江津;邱奕昇 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作 图案 氧化物 导电 方法 蚀刻 机台 | ||
技术领域
本发明关于一种制作氧化物导电层的方法,特别是一种制作图案化氧化物导电层的方法与可实施该方法的蚀刻机台。
背景技术
氧化物导电层因具有透明且可导电的特性,进而被广泛地用在制作显示器的像素电极。在公知工艺中,氧化物导电层经由溅镀的方式形成在基板表面,在经过上光阻、曝光、显影、蚀刻和去光阻等一连串的工序而达到形成图案化氧化物导电层的目的。然而,在这样的制作过程中,蚀刻步骤完毕与去图案化光阻层步骤完毕后皆须经过一道水洗步骤,也就是每一片基板至少须经由两次洗净过程,无疑地,制作的过程中会消耗大量的水。即使将这些水经由循环再利用而企图减少消耗量,然而为确保水的纯净度,却会增加循环过程中滤心的消耗,因而增加制造成本并依旧无法达到环保与节能的要求。
发明内容
本发明目的之一在于提供一种制作图案化氧化物导电层的方法与可实施该方法的蚀刻机台,在不牺牲产品良品率的前提下,藉由省去蚀刻步骤和去光阻步骤之间的水洗步骤而达到省水与节能的目的。
为达上述目的,本发明提供一种制作图案化氧化物导电层的方法,包含下列步骤。提供基板并于基板上形成氧化物导电层。接下来于氧化物导电层上形成图案化光阻层,其中图案化光阻层暴露出部分氧化物导电层。之后再利用蚀刻液蚀刻图案化光阻层暴露出的氧化物导电层,以形成图案化氧化物导电层,以及于蚀刻氧化物导电层之后,利用化学药剂除去图案化氧化物导电层上的图案化光阻层,其中蚀刻氧化物导电层的步骤与利用化学药剂除去图案化氧化物导电层上的图案化光阻层的步骤之间不包括对基板及图案化光阻层进行水洗步骤。
为达上述目的,本发明提供一种蚀刻机台。蚀刻机台包含蚀刻单元与去光阻单元。蚀刻单元用以蚀刻基板上的图案化光阻层暴露出的氧化物导电层;去光阻单元用以除去氧化物导电层上的图案化光阻层,其中蚀刻单元与去光阻单元之间不包括水洗单元。
本发明的有益功效在于:由于本发明使用的蚀刻液的主要成分为水,因此蚀刻步骤与去光阻步骤间无须水洗步骤,不仅可达到与原本需水洗步骤的产品相同的效果,还可节省水的消耗,达到环保节能的目的。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明实施例的蚀刻机台示意图;
图2A、图2B、图2C、图3至图6绘示本发明实施例制作图案化氧化物导电层的方法;
图7为本发明另一个实施例的蚀刻机台示意图。
其中,附图标记
1基板 2基板传输单元
3氧化物导电层 4喷洒装置
5图案化光阻层 6回收槽
8储存槽 10滤心
12管路 14风刀
22蚀刻单元 32干燥单元
42去光阻单元 3A图案化氧化物导电层
α夹角 50蚀刻机台
60蚀刻机台
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案进行详细的描述,以更进一步了解本发明的目的、方案及功效,但并非作为本发明所附权利要求保护范围的限制。
请参考图1,其绘示本发明实施例的蚀刻机台。如图1所示,蚀刻机台50包括蚀刻单元22、干燥单元32以及去光阻单元42。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造